[发明专利]一种预稳压电路在审

专利信息
申请号: 202111039431.5 申请日: 2021-09-06
公开(公告)号: CN113687683A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 魏访;杨俊 申请(专利权)人: 武汉职业技术学院
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 邹文玉
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 稳压 电路
【权利要求书】:

1.一种预稳压电路,整个电路分为2个电压域,高压电源VCC和低压电源Vpre;其特征在于:所述的预稳压电路包括高压电源VCC,高压电源VCC与固定栅压产生电路和低压电源产生电路的正极连接,为固定栅压产生电路和低压电源产生电路进行供电;所述固定栅压产生电路的输出端与低压电源产生电路连接,低压电源产生电路输出低压电源Vpre,低压电源Vpre为负载供电;所述固定栅压产生电路、低压电源产生电路和负载的负极连接并接地。

2.根据权利要求1所述的一种预稳压电路,其特征在于:所述的固定栅压产生电路包括与电源电压VCC连接的偏置电流I1和电阻R1,偏置电流I1和电阻R1并联后与稳压二极管D1的负极、MOS管电容M2的栅极和MOS管M4的栅极连接;所述二极管D1的正极同时与MOS管M1的漏极和栅极连接,MOS管M1的源极与MOS管电容M2的漏极和源极连接并接地。

3.根据权利要求2所述的一种预稳压电路,其特征在于:所述的电阻R1采用MΩ级的大电阻,稳压二极管D1和MOS管M1采用普通的低压管。

4.根据权利要求2所述的一种预稳压电路,其特征在于:所述的MOS管M2为MOS电容。

5.根据权利要求1所述的一种预稳压电路,其特征在于:所述低压电源产生电路包括与电源电压VCC连接的电阻R2,电阻R2的另一端与MOS管M4的漏极连接,MOS管M4的栅极与固定栅压产生电路连接,MOS管M4的源极与MOS管M3的栅极、稳压二极管D2的负极和负载的输入端连接;MOS管M3的漏极和源极、稳压二极管D2的正极和负载的负极连接并接地。

6.根据权利要求5所述的一种预稳压电路,其特征在于:所述电阻R2为小阻值电阻,MOS管M4的漏极的电压近似为VCC-Vpre;MOS管M4采用漏极耐高压的高压MOS管。

7.根据权利要求5所述的一种预稳压电路,其特征在于:所述的MOS管M3为MOS电容。

8.根据权利要求1所述的一种预稳压电路,其特征在于:所述的高压电源VCC为输入的电源电压,其输入的电压为8~36V;所述的低压电源Vpre为输出电压,其输出的电压为4~6V。

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