[发明专利]一种预稳压电路

说明书

本发明公开了一种预稳压电路，使用极少量高压器件，即可将大范围变化的高电压转换为较低，且较稳定的低电压。整个电路分为2个电压域，高压电源VCC和低压电源Vpre。所述的预稳压电路包括高压电源VCC，高压电源VCC与固定栅压产生电路和低压电源产生电路的正极连接，为固定栅压产生电路和低压电源产生电路进行供电。所述固定栅压产生电路的输出端与低压电源产生电路连接，低压电源产生电路输出低压电源Vpre，并将低压电源Vpre输入至负载，为负载进行供电。所述固定栅压产生电路、低压电源产生电路和负载的负极连接并接地。本发明用在宽电压范围的高压系统中，产生一个较为固定，具有一定带载能力的低压电源Vpre，给芯片的低压数字电路和低压模拟电路部分供电。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种预稳压电路的设计。

背景技术

预稳压电路能够将其输入端输入的较高电压经过初步稳压后为后续电路提供低压电源，在高压工艺的集成电路领域中有着重要的应用。传统的预稳压电路通常只通过稳压管和三极管组合的方式，得到一个稳压管电压减去三极管的导通压降的电压，即输出电压取决于稳压管的电压。

而在高压工艺集成电路中，耐高压器件往往阈值电压高、性能差、占用面积大。而与之兼容的同工艺下的低压器件则阈值电压低、性能好，占用面积小。因此，在高压集成电路工艺中，设计人员希望尽可能使用低压器件。然而高压供电的电路中，使用低压器件又面临着器件容易被击穿的风险。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提出了一种预稳压电路；能有效的解决上述技术问题。

本发明通过以下技术方案实现：

一种预稳压电路，整个电路分为2个电压域，高压电源VCC和低压电源Vpre；所述的预稳压电路包括高压电源VCC，高压电源VCC与固定栅压产生电路和低压电源产生电路的正极连接，为固定栅压产生电路和低压电源产生电路进行供电；所述固定栅压产生电路的输出端与低压电源产生电路连接，低压电源产生电路输出低压电源Vpre，并将低压电源Vpre输入至负载，为负载供电；所述固定栅压产生电路、低压电源产生电路和负载的负极连接并接地。

进一步的，所述的固定栅压产生电路包括与电源电压VCC连接的偏置电流I1和电阻R1，偏置电流I1和电阻R1并联后与稳压二极管D1的负极、MOS管电容M2的栅极和MOS管M4的栅极连接；所述二极管D1的正极同时与MOS管M1的漏极和栅极连接，MOS管M1的源极与MOS管电容M2的漏极和源极连接并接地。

进一步的，所述的电阻R1采用MΩ级的大电阻，稳压二极管D1和MOS管M1采用普通的低压管。

进一步的，所述的MOS管M2为MOS电容。

进一步的，所述低压电源产生电路包括与电源电压VCC连接的电阻R2,电阻R2的另一端与MOS管M4的漏极连接，MOS管M4的栅极与固定栅压产生电路连接，MOS管M4的源极与MOS管M3的栅极、稳压二极管D2的负极和负载的输入端连接；MOS管M3的漏极和源极、稳压二极管D2的正极和负载的负极连接并接地。

进一步的，所述电阻R2为小阻值电阻，MOS管M4的漏极的电压近似为VCC-Vpre；MOS管M4采用漏极耐高压的高压MOS管。

进一步的，所述的MOS管M3为MOS电容。

进一步的，所述的高压电源VCC为输入的电源电压，在60V BCD工艺下，输入的电压为8~36V时，所述的低压电源Vpre为输出电压，其输出的电压为4~6V。

有益效果

本发明提出的一种预稳压电路，与传统的现有技术相比较，其具有以下有益效果：