[发明专利]一种硅基氮化镓单片集成电路

权利要求书

1.一种硅基氮化镓单片集成电路，其特征在于，包括：衬底；

位于所述衬底一侧的外延结构；

所述外延结构包括第一开口和第二开口，沿垂直于衬底所在平面的方向，所述第一开口及所述第二开口均贯穿所述外延结构；其中，所述第一开口包括负压产生器，所述第二开口包括氮化镓晶体管，且所述负压产生器与所述氮化镓晶体管电连接。

2.根据权利要求1所述的硅基氮化镓单片集成电路，其特征在于，所述负压产生器包括第一沟道区，所述氮化镓器件包括第二沟道区；

沿负压产生器指向氮化镓晶体管的方向，所述第一沟道区与所述第二沟道区之间的距离为L，其中，L≤100μm。

3.根据权利要求1所述的硅基氮化镓单片集成电路，其特征在于，所述负压产生器包括第一三族氮化物层、第一介质层、硅外延层和第二介质层；

其中，沿垂直于衬底所在平面的方向，第一介质层位于所述第一三族氮化物层远离所述衬底的一侧，硅外延层位于所述第一介质层和所述第二介质层之间。

4.根据权利要求3所述的硅基氮化镓单片集成电路，其特征在于，所述氮化镓晶体管包括第二三族氮化物层和第三介质层，其中，所述第三介质层位于所述第二三族氮化物层远离所述衬底的一侧。

5.根据权利要求4所述的硅基氮化镓单片集成电路，其特征在于，所述第一三族氮化物层与所述第二三族氮化物层同层制作。

6.根据权利要求5所述的硅基氮化镓单片集成电路，其特征在于，还包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极位于所述硅外延层远离所述第一介质层一侧的表面，所述第二电极位于所述第二三族氮化物层远离所述衬底一侧的表面。

7.根据权利要求6所述的硅基氮化镓单片集成电路，其特征在于，还包括第一通孔、第二通孔及金属走线，所述第一通孔沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿所述第二介质层，所述第二通孔沿垂直于衬底所在平面的方向贯穿所述第三介质层，所述第一电极通过所述第一通孔、所述金属走线和所述第二通孔与所述第二电极电连接。

8.根据权利要求1所述的硅基氮化镓单片集成电路，其特征在于，所述负压产生器包括硅CMOS。