[发明专利]NOR Flash芯片驱动能力的测试系统和电子设备有效

专利信息
申请号: 202111045834.0 申请日: 2021-09-07
公开(公告)号: CN113488101B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 赵卓凯 申请(专利权)人: 北京紫光青藤微系统有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 罗岚
地址: 100084 北京市海淀区王庄路*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: nor flash 芯片 驱动 能力 测试 系统 电子设备
【权利要求书】:

1.一种NOR Flash芯片驱动能力的测试系统,其特征在于,包括处理器模块、数据存储模块、程控电压模块、DUT模块、正负压模块和DC测量模块,其中,

所述处理器模块包括MCU芯片和FPGA芯片,其中,所述MCU芯片分别与所述数据存储模块、所述FPGA芯片、所述程控电压模块、所述DUT模块和所述正负压模块相连,所述FPGA芯片与所述DC测量模块相连;

所述DUT模块分别与所述DC测量模块、所述程控电压模块和所述正负压模块相连;

所述数据存储模块,用于存储被测NOR Flash芯片的第一配置信息和第一测试信息;

所述MCU芯片,用于接收用户发送的测试命令,并根据所述测试命令从所述数据存储模块中获取所述第一配置信息和所述第一测试信息,以及根据所述第一配置信息和所述第一测试信息生成电压调整指令和正负压控制指令;

所述DUT模块,用于加载所述被测NOR Flash芯片;

所述程控电压模块,用于根据所述电压调整指令调整所述被测NOR Flash芯片的测试电压;

所述正负压模块,用于根据所述正负压控制指令模拟被测NOR Flash芯片端口不同的输入输出状态,以构建测试环境;

所述DC测量模块,用于采集所述被测NOR Flash芯片端口的电压信号;

所述FPGA芯片,用于对所述电压信号进行处理,以生成测试结果;

所述MCU芯片,还用于根据所述第一配置信息和所述第一测试信息生成第一测试指令和第二测试指令;

所述DUT模块,还用于根据所述第一测试指令控制所述被测NOR Flash芯片的端口进入待测状态;

所述FPGA芯片,还用于根据所述第二测试指令控制所述FPGA芯片进入测试状态;

功能选择模块,所述功能选择模块与所述MCU芯片相连,用于当所述NOR Flash芯片驱动能力的测试系统脱离上位机控制时,向所述MCU芯片发送所述被测NOR Flash芯片的第二配置信息和第二测试信息,其中,所述第二配置信息和所述第二测试信息为手动设置的;

所述MCU芯片,还用于根据所述第二配置信息和所述第二测试信息生成相关的测试指令。

2.根据权利要求1所述的NOR Flash芯片驱动能力的测试系统,其特征在于,还包括:

负载模块,所述负载模块与所述程控电压模块相连,所述负载模块用于模拟不同电路下的负载状况,以构建所述被测NOR Flash芯片端口的实际电路环境。

3.根据权利要求1所述的NOR Flash芯片驱动能力的测试系统,其特征在于,还包括:

显示模块,所述显示模块与所述MCU芯片相连,其中,所述MCU芯片,还用于将所述测试结果发送至所述显示模块,以通过所述显示模块将所述测试结果提供给用户。

4.根据权利要求1所述的NOR Flash芯片驱动能力的测试系统,其特征在于,还包括:

联机模块,所述联机模块与所述MCU芯片相连,用于连接其他的测试系统。

5.根据权利要求1所述的NOR Flash芯片驱动能力的测试系统,其特征在于,还包括:

分选机通讯模块,所述分选机通讯模块与所述MCU芯片相连,用于与分选机进行通讯,以通过所述分选机将所述被测NOR Flash芯片放入所述DUT模块的测试座中。

6.根据权利要求1所述的NOR Flash芯片驱动能力的测试系统,其特征在于,还包括:

上位机通讯模块,所述上位机通讯模块与所述MCU芯片相连,用于与上位机进行通讯;其中,

所述MCU芯片,还用于将所述电压信号和所述测试结果通过所述上位机通讯模块发送至所述上位机。

7.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-6中任一项所述的NOR Flash芯片驱动能力的测试系统。

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