[发明专利]NOR Flash芯片驱动能力的测试系统和电子设备

说明书

本公开提出一种NOR Flash芯片驱动能力的测试系统和电子设备，其中，该NOR Flash芯片驱动能力的测试系统包括：处理器模块、数据存储模块、程控电压模块、DUT模块、正负压模块和DC测量模块，其中，处理器模块包括MCU芯片和FPGA芯片，其中，MCU芯片分别与数据存储模块、FPGA芯片、程控电压模块、DUT模块和正负压模块相连，FPGA芯片与DC测量模块相连；DUT模块分别与DC测量模块、程控电压模块和正负压模块相连。由此，能够对NOR Flash芯片端口的驱动能力进行量化测试，有助于提升NOR Flash芯片对不同板级环境的适配能力。

技术领域

本公开涉及电子技术领域，尤其涉及一种NOR Flash芯片驱动能力的测试系统和电子设备。

背景技术

随着物联网设备的不断发展，数据的存储在当下显得愈发重要。NOR Flash（非易失闪存技术）芯片为一种使用充放电荷机制的非易失型存储器，具有10年以上寿命，很适合作为启动程序的存储介质，广泛应用于嵌入式设备中。

对于NOR Flash芯片，在不同的板级环境以及不同的使用环境下，芯片端口的相同的驱动能力可能会产生不同的影响。驱动能力过小，板级主控芯片可能无法采集有效的信号，造成通讯异常。驱动能力过大，相邻信号线之间可能发生串扰，造成电平的异常翻转，产生异常信号。

发明内容

本公开旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。

为此，本公开的一个目的在于提出一种NOR Flash芯片驱动能力的测试系统，能够对NOR Flash芯片端口的驱动能力进行量化测试，有助于提升NOR Flash芯片对不同板级环境的适配能力。

本公开的第二目的在于提出一种电子设备。

为了达到上述目的，本公开第一方面实施例提出了一种NOR Flash芯片驱动能力的测试系统，包括处理器模块、数据存储模块、程控电压模块、DUT模块、正负压模块和DC测量模块，其中，所述处理器模块包括MCU芯片和FPGA芯片，其中，所述MCU芯片分别与所述数据存储模块、所述FPGA芯片、所述程控电压模块、所述DUT模块和所述正负压模块相连，所述FPGA芯片与所述DC测量模块相连；所述DUT模块分别与所述DC测量模块、所述程控电压模块和所述正负压模块相连；所述数据存储模块，用于存储被测NOR Flash芯片的第一配置信息和第一测试信息；所述MCU芯片，用于接收用户发送的测试命令，并根据所述测试命令从所述数据存储模块中获取所述第一配置信息和所述第一测试信息，以及根据所述第一配置信息和所述第一测试信息生成电压调整指令和正负压控制指令；所述DUT模块，用于加载所述被测NOR Flash芯片；所述程控电压模块，用于根据所述电压调整指令调整所述被测NORFlash芯片的测试电压；所述正负压模块，用于根据所述正负压控制指令模拟被测NORFlash芯片端口不同的输入输出状态，以构建测试环境；所述DC测量模块，用于采集所述被测NOR Flash芯片端口的电压信号；所述FPGA芯片，用于对所述电压信号进行处理，以生成测试结果。

本公开实施例的NOR Flash芯片驱动能力的测试系统能够对NOR Flash芯片端口的驱动能力进行量化测试，有助于提升NOR Flash芯片对不同板级环境的适配能力。

另外，根据本公开上述实施例提出的NOR Flash芯片驱动能力的测试系统还可以具有如下附加技术特征：

根据本公开的一个实施例，所述MCU芯片，还用于根据所述第一配置信息和所述第一测试信息生成第一测试指令和第二测试指令；所述DUT模块，还用于根据所述第一测试指令控制所述被测NOR Flash芯片的端口进入待测状态；所述FPGA芯片，还用于根据所述第二测试指令控制所述FPGA芯片进入测试状态。