[发明专利]鳍式半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202111045921.6 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113764348B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 耿金鹏;刘洋;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域用于形成PMOS管，所述NMOS区域用于形成NMOS管，在所述PMOS区域的基底上形成第一鳍片材料层；
在所述基底上形成第二鳍片材料层，所述第二鳍片材料层保形地覆盖所述NMOS区域的基底及所述第一鳍片材料层；
在所述第二鳍片材料层上保形地形成掩模层；
以所述第二鳍片材料层为研磨停止层，研磨以去除部分厚度的所述掩模层；
刻蚀以去除所述掩模层、所述PMOS区域的第二鳍片材料层及所述NMOS区域的部分厚度的第二鳍片材料层，以使所述NMOS区域的第二鳍片材料层的顶面和所述PMOS区域的第一鳍片材料层的顶面齐平，且刻蚀所述掩模层的速率与刻蚀所述第二鳍片材料层的速率相等；以及，
刻蚀所述NMOS区域的第二鳍片材料层和所述PMOS区域的第一鳍片材料层，以在所述NMOS区域形成所述NMOS管的鳍片及在所述PMOS区域形成所述PMOS管的鳍片。
2.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一鳍片材料层的材质包括锗硅；和/或，所述第二鳍片材料层的材质包括硅。
3.如权利要求2所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀以去除所述掩模层、所述PMOS区域的第二鳍片材料层及所述NMOS区域的部分厚度的第二鳍片材料层时，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4和CHF3，所述CF4和所述CHF3的流量比例为5:1～10:1。
4.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述PMOS区域的基底上形成第一鳍片材料层时，所述第一鳍片材料层的厚度为
5.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述基底上形成第二鳍片材料层时，所述NMOS区域的第二鳍片材料层的顶面比所述PMOS区域的第一鳍片材料层的顶面高
6.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第二鳍片材料层上保形地形成掩模层时，所述掩模层的厚度为
7.如权利要求6所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩模层的材质包括氧化硅或氮化硅。
8.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述PMOS区域的基底上形成第一鳍片材料层的步骤包括：
在所述PMOS区域和所述NMOS区域的基底上形成所述第一鳍片材料层；
刻蚀以去除所述NMOS区域的基底上的所述第一鳍片材料层。
9.如权利要求8所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，在刻蚀以去除所述NMOS区域的基底上的所述第一鳍片材料层之前，在所述第一鳍片材料层上形成氧化层；在刻蚀以去除所述NMOS区域的基底上的所述第一鳍片材料层之后，去除所述氧化层，并清洗所述第一鳍片材料层的表面。
10.如权利要求9所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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