[发明专利]一种提取CoCrNi中熵合金浅纳米压痕的方法及装置

权利要求书

1.一种提取CoCrNi中熵合金浅纳米压痕的方法，包括如下步骤：

S100：对CoCrNi样品进行退火热处理，将退火热处理后的CoCrNi样品进行打磨和抛光处理；

S200：以抛光处理后的CoCrNi样品表面的平整区域作为测试区域，并在该测试区域进行阵列打点以产生纳米压痕阵列；

S300：在打点过程中，实时观察纳米压痕阵列中每个纳米压痕的P-h曲线，当需要表征的压痕发生位移突跳后停止阵列打点；

S400：对纳米压痕阵列实施定位，并对纳米压痕阵列中的浅压痕部分进行Pt沉积和切割处理；

S500：提取切割后的浅压痕部分，并对所提取的浅压痕部分进行减薄处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，优选的，步骤S400中，所述对纳米压痕阵列中的浅压痕部分进行Pt沉积是通过电子束和离子束两种方式进行的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S400中，所述对纳米压痕阵列实施定位是通过以下方式进行的：在纳米压痕阵列两端施加2000-5000μN力以产生深度为100-200nm的深压痕，通过该深压痕对纳米压痕阵列进行定位。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，步骤S400中，对浅压痕部分进行Pt沉积所形成的Pt保护层的厚度不低于3μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S500中，经减薄处理后的浅压痕部分的厚度为50-100nm。

6.一种提取CoCrNi中熵合金浅纳米压痕的装置，包括：

热处理装置，用于对CoCrNi样品进行退火热处理；

抛光装置，用于对热处理后的CoCrNi样品进行抛光处理；

打点装置，用于对抛光处理后的CoCrNi样品进行打点以产生纳米压痕阵列；

沉积-切割-减薄装置，用于对纳米压痕阵列中的浅压痕部分进行Pt沉积，以形成Pt保护层，并对沉积后的浅压痕部分进行切割和减薄处理。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述热处理装置包括淬火炉，淬火炉的一侧连接氩气瓶，另一侧连接真空泵。

8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述抛光装置包括机械抛光仪和电解抛光机。

9.根据权利要求6所述的装置，其中，所述打点装置包括纳米压痕测试仪。

10.根据权利要求6所述的装置，其中，所述沉积-切割-减薄装置包括FIB聚焦离子束装置。