[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有第一衬底的半导体器件芯片，所述第一衬底具有相对设置的正面和背面，所述第一衬底的正面包括边缘连接区，所述半导体器件芯片包括设置在所述边缘连接区上的第一金属接触结构以及第一虚拟金属接触结构，所述第一虚拟金属接触结构临近所述第一金属接触结构设置；

提供具有第二衬底的电路芯片，所述电路芯片包括设置在所述第二衬底上的控制电路、静电消除电路、与所述控制电路电连接的第二金属接触结构以及与所述静电消除电路电连接的第二虚拟金属接触结构；

键合所述半导体器件芯片与所述电路芯片，使得所述第一金属接触结构与所述第二金属接触结构电连接，所述第一虚拟金属接触结构与所述第二虚拟金属接触结构电连接；

刻蚀所述第一衬底的背面，在所述第一衬底上形成接触孔，所述接触孔暴露出所述第一金属接触结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件芯片包括阵列芯片，所述阵列芯片包括设置在所述边缘连接区上的所述第一金属接触结构以及所述第一虚拟金属接触结构，所述第一衬底的正面还包括核心阵列区，所述阵列芯片还包括设置在所述核心阵列区上的存储阵列结构，形成所述阵列芯片的步骤包括：

在所述核心阵列区上形成堆叠结构，在所述边缘连接区上形成第一介电结构；

在所述堆叠结构中形成所述存储阵列结构，在所述第一介电结构中形成多个所述第一金属接触结构及多个所述第一虚拟金属接触结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，多个所述第一虚拟金属接触结构绕着至少一个所述第一金属接触结构设置，或者一个所述第一金属接触结构临近设置有一个所述第一虚拟金属接触结构。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述电路芯片的步骤包括：

在所述第二衬底中形成多个相互独立的所述控制电路与所述静电消除电路；

在所述第二衬底上形成第二介电结构，在所述第二介电结构中形成所述第二金属接触结构与所述第二虚拟金属接触结构。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，多个所述第二虚拟金属接触结构与多个所述静电消除电路一一对应且电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，键合所述半导体器件芯片与所述电路芯片的步骤包括：

在所述第一介电结构的表面上形成与所述第一金属接触结构电连接的第一焊盘，以及与所述第一虚拟金属接触结构电连接的第二焊盘；

在所述第二介电结构的表面上形成与所述第二金属接触结构电连接的第三焊盘，以及与所述第二虚拟金属接触结构电连接的第四焊盘；

键合所述第一焊盘与所述第三焊盘，实现所述第一金属接触结构与所述第二金属接触结构的电连接；键合所述第二焊盘与所述第四焊盘，实现所述第一虚拟金属接触结构与所述第二虚拟金属接触结构的电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一金属接触结构通过第一互连层与所述第一焊盘电连接，所述第一虚拟金属接触结构通过第一虚拟互连层与所述第二焊盘电连接，所述第二金属接触结构通过第二互连层与所述第三焊盘电连接，所述第二虚拟金属接触结构通过第二虚拟互连层与所述第四焊盘电连接。

8.根据权利要求1或7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：

填充所述接触孔，形成第三金属接触结构，所述第三金属接触结构与所述第一金属接触结构电连接。