[发明专利]PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺在审
申请号: | 202111049274.6 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113659040A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 常宇峰;蒋红彬;缪强;于亚春;杨恒春 | 申请(专利权)人: | 苏州潞能能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | perc 太阳能电池 不良 处理 工艺 | ||
1.一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺,其特征在于,包括如下步骤:
收集碱抛不良片;
在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅;
对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理;
对所述碱抛不良片进行碱抛处理。
2.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺,其特征在于,所述在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅包括:
将收集好的所述碱抛不良片放入等离子沉积设备的腔体内;
对所述腔体进行升温,使得温度达到400-480℃;
向所述腔体内充氮气进行保护,维持所述腔体内的压力稳定在1000-1500mtor;
调整所述腔体内的压力至150-250mtor,向所述腔体内充硅烷和笑气,在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺,其特征在于,所述对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理包括:
使用氢氟酸溶液去除所述碱抛不良片背面的氧化层;
使用纯水对所述碱抛不良片进行漂洗;
在45-60℃的热风下对所述碱抛不良片进行干燥。
4.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺,其特征在于,所述对所述碱抛不良片进行碱抛处理包括:
使用含氢氧化钾和添加剂的混合溶液对所述碱抛不良片进行腐蚀。
5.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺,其特征在于,在所述对所述碱抛不良片进行碱抛处理之后还包括:
使用氢氟酸溶液对所述碱抛不良片进行酸洗,去除所述碱抛不良片正面的二氧化硅;
使用纯水对所述碱抛不良片进行漂洗;
在85-100℃的热风下对所述碱抛不良片进行干燥。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州潞能能源科技有限公司,未经苏州潞能能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111049274.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种单轨车辆齿轮箱及单轨车辆
- 下一篇:一种雾化美发器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的