[发明专利]PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺

说明书

本发明公开了一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，包括如下步骤：收集碱抛不良片；在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅；对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理；对所述碱抛不良片进行碱抛处理。本发明通过在硅片衬底背面生长Al₂O₃薄膜，在Al₂O₃薄膜表面沉淀三层SiNx薄膜，从而可以提高电池片转换效率。本发明的碱抛不良片无需经过二次制绒、扩散、正面激光开槽、前氧化、背面去PSG等复杂的制程工艺，大大减少了碱抛不良片的处理流程，从而可以提高碱抛不良片的良率和转换效率，降低碱抛不良片的碎片率，进而可以提高产能，达到降本增效的目的。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺。

背景技术

目前，PERC太阳能电池生产工艺已经日趋成熟，可以实现标准化生产，其主要工艺步骤如下：制绒→扩散→正面激光开槽→前氧化→背面去PSG→碱抛→后氧化→背钝化→正背镀膜→背面激光→丝网印刷→烧结→测试分选→包装入库。其中，碱抛工艺过程中受反应温度、反应时间、油污、灰尘或者其他杂质导致抛光不完全，生产过程中会产生一定比例背抛光不良的硅片，局部区域抛光度不够或者根本未进行抛光，如果不进行返工处理会造成局部钝化不良，甚至严重外观和EL异常，影响产线整体良率、效率，所以必须经过返工处理后再生产，使其成为合格电池片。由于碱抛后正面的氧化层保护膜被清洗，无法进行直接碱抛处理，通常采用如图1所示的常规返工工艺来处理碱抛不良片：将碱抛不良片集中进行二次制绒后再生产。具体而言，将碱抛不良片重新进行制绒(二次制绒)→扩散→正面激光开槽→前氧化→背面去PSG→碱抛(二次碱抛)的工艺。

然而，通过常规返工工艺处理碱抛不良片需要对硅片进行二次腐蚀，增加了硅片碎片概率和生产成本；二次制绒后需要重新进行850℃高温扩散，能耗高且对硅片损失严重；由于硅片正面的SE重掺杂区域被腐蚀，还需要对硅片局部进行二次激光掺杂，对硅片的损伤大，在后面的工艺生产过程中容易产生碎片等不良。故，常规返工工艺制程工艺复杂，由于经过二次制绒，导致硅片碎片率高且影响产线制程产能和良率；由于经过的工序较多，影响硅片的成品良率，并且生产出的电池片平均转换效率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，以解决上述技术问题。

为此，本发明采用的一个技术方案是提供一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，包括如下步骤：

收集碱抛不良片；

在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅；

对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理；

对所述碱抛不良片进行碱抛处理。

在本发明的一个实施例中，所述在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅包括：

将收集好的所述碱抛不良片放入等离子沉积设备的腔体内；

对所述腔体进行升温，使得温度达到400-480℃；

向所述腔体内充氮气进行保护，维持所述腔体内的压力稳定在1000-1500mtor；

调整所述腔体内的压力至150-250mtor，向所述腔体内充硅烷和笑气，在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅。

在本发明的一个实施例中，所述对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理包括：

使用氢氟酸溶液去除所述碱抛不良片背面的氧化层；

使用纯水对所述碱抛不良片进行漂洗；

在45-60℃的热风下对所述碱抛不良片进行干燥。

在本发明的一个实施例中，所述对所述碱抛不良片进行碱抛处理包括：