[发明专利]一种垂直腔面发射激光器

说明书

本申请涉及半导体激光器技术领域，公开了一种垂直腔面发射激光器，其包括：本体；光学整形件，用于对所述本体发射的光线准直、光线的发射角缩小或者扩大，所述光学整形件位于所述本体发射的光线的光路上，且所述光学整形件与所述本体一体成型。本申请通过光学元件与本体的一体化成型，将光学元件对光线的准直、光线的发射角缩小或者扩大的功能整合至本体中，以使本体能够自行对其发射出的光线进行准直、发射角的缩小或者扩大的作用。本申请一方面缩小了激光器的整体尺寸，另一方面还降低了生产成本。

技术领域

本发明一般涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器。

背景技术

垂直腔面发射激光器，简称VCSEL，是一种新兴的半导体激光光源。相比于传统的边发射半导体激光器，VCSEL具有阈值低、对称的圆形光斑、单纵模、易于二维阵列、热稳定性好等优点。这使得VCSEL在医疗、显示技术、空间通信、光互连等领域有着重要的应用。

一般来说，VCSEL发射的光需要进行整形后才能够投射到空间中，主要的整形有准直、扩束等。

在相关技术中，在VCSEL前加入透镜、DOE(衍射光学器件)、扩散片等光学器件实现光束整形。对于垂直腔面发射激光器的研究，仍需深入。

发明内容

本发明提供一种垂直腔面发射激光器，其包括：

本体；

光学整形件，用于对所述本体发射的光线准直、光线的发射角缩小或者扩大，所述光学整形件位于所述本体发射的光线的光路上，且所述光学整形件与所述本体一体成型。

作为可实现的最优方式，所述光学整形件包括光学整形层，所述光学整形层连接至所述本体。

作为可实现的最优方式，所述本体包括氧化层，所述氧化层上开设有若干个未氧化区，所述光学整形层覆盖所述氧化层上至少部分的未氧化区。

作为可实现的最优方式，所述光学整形层覆盖所述氧化层上全部的未氧化区。

作为可实现的最优方式，所述光学整形层包括至少两部分，一所述部分用于对所述本体发射的光线准直，另一所述部分用于对所述本体发射的光线的发射角缩小或者扩大，

一所述部分覆盖所述氧化层上部分的未氧化区；另一所述部分覆盖所述氧化层上其余的未氧化区。

作为可实现的最优方式，所述光学整形层为一维光栅结构，其包括若干个光栅条，各所述光栅条相互平行且等间隔设置。

作为可实现的最优方式，所述光学整形层为二维光栅结构，其包括若干个高对比度微结构单元，各所述高对比度微结构单元阵列布置，所述高对比度微结构单元为上大下小或者上小下大。

作为可实现的最优方式，所述高对比度微结构单元包括若干个层叠设置的结构层，各所述结构层的面积沿所述光线发射方向依次减小或者增大。

作为可实现的最优方式，所述本体为顶面垂直腔面发射激光器或者底面垂直腔面发射激光器。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本申请通过光学元件与本体的一体化成型，将光学元件对光线的准直、光线的发射角缩小或者扩大的功能整合至本体中，以使本体能够自行对其发射出的光线进行准直、发射角的缩小或者扩大的作用。本申请一方面缩小了激光器的整体尺寸，另一方面还降低了生产成本。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是根据本申请的实施方式的第一种垂直腔面发射激光器的结构示意图；

图2是根据本申请的实施方式的第二种垂直腔面发射激光器的结构示意图；