[发明专利]发光器件及显示基板在审

专利信息
申请号: 202111049861.5 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN113745378A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 滕万鹏;刘伟星;张春芳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L33/08 分类号: H01L33/08;H01L33/36;H01L27/15
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 何家鹏;丁芸
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 显示
【权利要求书】:

1.一种发光器件,其特征在于,包括衬底、第一发光结构和第二发光结构;所述第一发光结构和所述第二发光结构均包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一半导体层设置在所述衬底上,所述发光层设置在所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧,所述第二半导体层设置在所述发光层的远离所述第一半导体层的一侧;

所述发光器件还包括第一电极、第二电极、第三电极和第一导电层,所述第一电极通过第一过孔与所述第一发光结构的第一半导体层连接,所述第二电极的一端连接所述第一发光结构的第二半导体层,所述第二电极的另一端连接所述第二发光结构的第一半导体层,所述第三电极通过第二过孔与所述第一导电层连接,所述第一导电层与所述第二发光结构的第二半导体层连接,所述第二过孔环绕或半环绕所述第二发光结构的发光层设置,所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第二过孔为环绕所述第二发光结构的发光层设置的口字形过孔结构;

所述第二过孔的各部分在所述衬底上的正投影,到所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第二过孔为半环绕所述第二发光结构的发光层设置的匚字形过孔结构;

所述第二过孔的各部分在所述衬底上的正投影,到所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括第二导电层,所述第二电极通过第三过孔与所述第二导电层连接,所述第二导电层与第一发光结构的第二半导体层连接,所述第三过孔环绕或半环绕所述第一发光结构的发光层设置,所述第三过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。

5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第三过孔为环绕所述第一发光结构的发光层设置的口字形过孔结构;

所述第三过孔的各部分在所述衬底上的正投影,到所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。

6.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第三过孔为环绕所述第一发光结构的发光层设置的匚字形过孔结构;

所述第三过孔的各部分在所述衬底上的正投影,到所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。

7.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一发光结构的发光层的尺寸和所述第二发光结构的发光层的尺寸相等,所述第一发光结构的第一半导体层的尺寸和所述第二发光结构的第一半导体层的尺寸相等,所述第一发光结构的第二半导体层的尺寸和所述第二发光结构的第二半导体层的尺寸相等。

8.根据权利要求7所述的发光器件,其特征在于,所述第一过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外;

所述第二电极通过第四过孔与所述第二发光结构的第一半导体层连接,所述第四过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。

9.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第二电极上设置有金属膜层,所述第三电极上设置有金属膜层。

10.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括平坦层,所述平坦层设置在所述衬底上且覆盖所述第一发光结构、所述第二发光结构、第一导电层和所述第二导电层,所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极设置在所述平坦层的远离所述基板的一侧。

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