[发明专利]发光器件及显示基板在审
申请号: | 202111049861.5 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113745378A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 滕万鹏;刘伟星;张春芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/36;H01L27/15 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 何家鹏;丁芸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 显示 | ||
本申请实施例提供了一种发光器件及显示基板。发光器件包括衬底、第一发光结构和第二发光结构;第一发光结构和第二发光结构均包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,第一半导体层设置在衬底上,发光层设置在第一半导体层的远离衬底的一侧,第二半导体层设置在发光层的远离第一半导体层的一侧;发光器件还包括第一电极、第二电极、第三电极和第一导电层,第一电极通过第一过孔与第一发光结构的第一半导体层连接,第三电极通过第二过孔与第一导电层连接,第一导电层与第二发光结构的第二半导体层连接,第二过孔环绕或半环绕第二发光结构的发光层设置,第二过孔在衬底上的正投影位于第二发光结构的发光层在衬底上的正投影之外。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种发光器件及显示基板。
背景技术
相关技术中,高压发光二极管(LED)包括两颗串联连接的LED。对于高压发光二极管中的单颗LED来说,其不同部位存在一定的亮度差,导致亮度均一性不佳。因此,如何提高高压发光二极管中单颗LED的亮度均一性是需要解决的一个技术问题。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种发光器件及显示基板,可以提高高压发光二极管中单颗LED的亮度均一性。具体技术方案如下:
本申请第一方面的实施例提出了一种发光器件,包括衬底、第一发光结构和第二发光结构;所述第一发光结构和所述第二发光结构均包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一半导体层设置在所述衬底上,所述发光层设置在所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧,所述第二半导体层设置在所述发光层的远离所述第一半导体层的一侧;
所述发光器件还包括第一电极、第二电极、第三电极和第一导电层,所述第一电极通过第一过孔与所述第一发光结构的第一半导体层连接,所述第二电极的一端连接所述第一发光结构的第二半导体层,所述第二电极的另一端连接所述第二发光结构的第一半导体层,所述第三电极通过第二过孔与所述第一导电层连接,所述第一导电层与所述第二发光结构的第二半导体层连接,所述第二过孔环绕或半环绕所述第二发光结构的发光层设置,所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。
在本申请的其中一些实施例中所述第二过孔为环绕所述第二发光结构的发光层设置的口字形过孔结构;
所述第二过孔的各部分在所述衬底上的正投影,到所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。
在本申请的另外一些实施例中,所述第二过孔为半环绕所述第二发光结构的发光层设置的匚字形过孔结构;
所述第二过孔的各部分在所述衬底上的正投影,到所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。
在本申请的一些实施例中,其特征在于,所述发光器件还包括第二导电层,所述第二电极通过第三过孔与所述第二导电层连接,所述第二导电层与第一发光结构的第二半导体层连接,所述第三过孔环绕或半环绕所述第一发光结构的发光层设置,所述第三过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。
在本申请的一些实施例中,所述第三过孔为环绕所述第一发光结构的发光层设置的口字形过孔结构;
所述第三过孔的各部分在所述衬底上的正投影,到所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。
在本申请的一些实施例中,所述第三过孔为环绕所述第一发光结构的发光层设置的匚字形过孔结构;
所述第三过孔的各部分在所述衬底上的正投影,到所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。
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