[发明专利]一种超低启亮电压深蓝光有机电致发光器件的制备方法

权利要求书

1.一种超低启亮电压深蓝光有机电致发光器件(OLED)，其特征在于：所述超低启亮电压深蓝光OLED器件包括三种不同取代基的BN-Ullazine衍生物与聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺](PTAA)，以特定比例掺杂形成混合发光层，所述混合发光层一侧设有空穴传输层，所述空穴传输层背对所述混合发光层的一侧设有透明导电衬底，所述混合发光层背对空穴传输层一侧依次设有电子传输层、电子缓冲层及金属背电极。

2.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述透明衬底为氧化铟锡(ITO)玻璃衬底，ITO为导电阳极，方块电阻约为10Ω/sq，所需ITO玻璃衬底经清洗、烘干、预处理后备用。

3.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于空穴传输层为聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)薄膜，利用溶液法在ITO衬底上旋涂成膜，膜厚为40nm。

4.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述混合发光层以BN-Ullazine衍生物为主体，BN-Ullazine本体两侧的硼原子上引入甲基(Me)、苯基(Ph)、三甲基苯基(Mes)，氮原子上引入苄基(Bn)。

5.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述混合发光层以聚合物PTAA为客体掺杂剂。其中PTAA是一种疏水型导电高分子材料，同时作为BN-Ullazine衍生物的成膜辅助剂。

6.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述混合发光层中BN-Ullazine衍生物与PTAA的质量掺杂比为5mg∶2mg，溶剂为1ml的邻二氯苯。混合发光层薄膜通过溶液法旋涂制备，膜厚为30nm。

7.根据权利要求1所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述的电子传输层为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)，膜厚为30nm。与电子传输层相邻的电子缓冲层为LiF，膜厚为1nm。与电子缓冲层相邻的金属电极为Al电极，膜厚为100nm。这三种薄膜均采用真空热蒸镀工艺制备。

8.根据权利要求1-7中所述的超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所述制备过程包括以下步骤：

(1)在透明导电衬底上旋涂空穴传输层。

(2)在步骤(1)中所得的空穴传输层表面旋涂混合发光层。

(3)在步骤(2)中所得的混合发光层表面沉积电子传输层。

(4)在步骤(3)中所得的电子传输层表面沉积电子缓冲层。

(5)在步骤(4)中所得的电子缓冲层表面沉积金属电极。

9.一种超低启亮电压深蓝光OLED器件，其特征在于所制备的OLED器件的电致发光峰位在420nm，色坐标CIE中y值均小于0.1，启亮电压分别为：2.6V、2.6V、2.7V，明显低于PTAA的光学带隙能量。