[发明专利]一种超低启亮电压深蓝光有机电致发光器件的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111052866.3 申请日: 2021-09-09
公开(公告)号: CN113809254A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 吴晓明;晋孟佳;刘旭光;崔明宽;芮红松;杨楠;兰宝发;侯卉晴;路宽宽;印寿根 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 超低启亮 电压 深蓝 有机 电致发光 器件 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种超低启亮电压深蓝光有机电致发光器件的制备方法。所述的BN‑Ullazine衍生物主体两侧的硼原子上引入甲基、苯基、三甲基苯基,氮原子上引入苄基。此类材料具有较宽的光学带隙和较高的三线态能级。所述的三苯胺类聚合物PTAA具有高空穴迁移率、宽禁带结构以及高荧光量子产率等特点。所述的器件中混合发光层为BN‑Ullazine掺杂PTAA。主体材料BN‑Ullazine衍生物的三重态‑三重态湮灭(TTA)效应形成的荧光上转换机制,大幅度提高了单线态激子的利用率。BN‑Ullazine衍生物与PTAA的能级结构相匹配且存在良好的能量转移,促使BN‑Ullazine衍生物产生的单重态激子有效地转移到PTAA激发态能级中,实现了PTAA的高效发光。因此以BN‑Ullazine:PTAA为发光层器件的性能获得了明显提升,且启亮电压低于PTAA光学带隙能量。

【技术领域】

本发明属于有机电致发光技术领域,涉及一种BN-Ullazine衍生物掺杂三苯胺类聚合物的超低启亮电压深蓝光有机电致发光器件的制备方法。

【背景技术】

有机电致发光器件(OLED)作为新一代平面显示和固态照明技术,凭借其自发光、全固态、广视角、高亮度、高效率、高画质、响应速度快、体积轻薄及易实现柔性化等优良特性,在众多新型电子器件中展现出良好的应用前景。

OLED实现彩色化与自光照明技术通常需要高效稳定的红、绿、蓝三基色有机发光材料,因此发光材料的合成、选择与器件结构的优化成为制备高效器件的关键因素。近年来,红色和绿色磷光材料技术的发展较快,目前已基本满足显示和照明的应用要求。但是蓝色有机发光材料,尤其是深蓝光材料(380~440nm)的种类较少、稳定性不佳且驱动电压较高(通常启亮电压大于3.3V),这是影响OLED发展的重要因素。在深蓝光材料体系中,硼氮掺杂多环芳烃化合物是近年来倍受关注的材料体系之一,其中BN-Ullazine衍生物是基于小分子 Ullazine骨架为主体,通过B、N等电子替换后引入不同种类官能团来调整自身分子结构,在保持芳香烃基本空间构型的同时可以灵活地调控其光电物理性质。此类材料具有较宽的光学带隙和较高的三线态能级。这也为BN-Ullazine衍生物的三重态-三重态湮灭(TTA,Triplet- Triplet Annihilation)效应,增加单重态激子利用率提供了可能。

此外,目前商品化的OLED均采用小分子材料并通过真空热蒸发的方式来制备器件,该制备工艺可以精确的控制膜厚和沉积速率,但材料的使用率仅为5%,且制备成本昂贵、工艺复杂。而聚合物材料通常可以利用溶液法(旋涂、刮涂、丝网印刷、喷墨打印等)来制备成膜,且溶液法成膜技术的材料利用率高、工艺相对简单,并且可精准控制主客体材料的掺杂比例,目前该技术在柔性光电器件中备受瞩目。在各类聚合物体系中,三苯胺类聚合物PTAA 凭借其高空穴迁移率、宽禁带结构、高荧光量子产率以及高透光率等特点引起人们的极大兴趣。考虑到将小分子与聚合物材料的优势相结合,构建多组分的主客体掺杂体系。将BN- Ullazine衍生物与聚合物PTAA进行掺杂,采用溶液法制备OLED的混合发光层。其中主体材料BN-Ullazine衍生物的TTA效应和主客体材料间存在良好的能量转移,有望制备出超低启亮电压深蓝光OLED器件。

【发明内容】

本发明目的在于提供一种超低启亮电压深蓝光有机电致发光器件的制备方法。所述超低启亮电压深蓝光OLED器件,选择了三种BN-Ullazine衍生物分别与PTAA掺杂形成混合发光层,其中主体材料BN-Ullazine衍生物TTA的荧光上转换机制(T1+T1→S0+S1),提高了单重态激子的利用率。BN-Ullazine衍生物与PTAA两种材料的能级结构相匹配且存在良好的能量转移,促使BN-Ullazine衍生物产生的单重态激子有效地转移到PTAA激发态能级中,实现了PTAA的高效发光。此外,在电场的激发下,通过BN-Ullazine衍生物的TTA效应来实现PTAA的发光,器件的启亮电压明显低于PTAA光学带隙能量。该方法可以作为获得超低启亮电压深蓝光OLED器件的有效途径。

本发明的技术方案:

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