[发明专利]存储器设备、校准存储器设备的信号电平的方法及具有存储器设备的存储器系统在审
申请号: | 202111053099.8 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN114187936A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 严泳度;朴宰佑;孙永训;崔荣暾;崔桢焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 设备 校准 信号 电平 方法 具有 系统 | ||
1.一种存储器设备,包括:
收发器,配置为根据多电平信令发送或接收数据;以及
电平间隔失配比率RLM控制器,配置为在所述收发器的数据传输操作期间调整信号电平之间的至少一个间隔,
其中,所述RLM控制器包括:
电阻器,连接在第一节点和地端子之间,
第一比较器,配置为通过将所述第一节点的第一调整电压与第一参考电压进行比较而输出第一比较电压,
第二比较器,配置为通过将第二节点的第二调整电压与第二参考电压进行比较而输出第二比较电压,
第一编码生成器,配置为生成与所述第一比较电压相对应的上拉编码、最高有效位MSB附加编码或最低有效位LSB附加编码;
第二编码生成器,配置为生成与所述第二比较电压相对应的下拉编码;
第一MSB上拉驱动器,连接在电源端子与所述第一节点之间并且配置为根据所述上拉编码控制用于至少一个第一高位比特的驱动能力,
第一LSB上拉驱动器,连接在所述电源端子与所述第一节点之间并且配置为根据所述上拉编码控制用于至少一个第一低位比特的驱动能力,
第一MSB下拉驱动器,连接在所述第一节点与所述地端子之间并且配置为根据所述下拉编码控制用于至少一个第一高位比特的驱动能力,以及
第一LSB下拉驱动器,连接在所述第一节点与所述地端子之间并且配置为根据所述下拉编码控制用于至少一个第一低位比特的驱动能力;
第二MSB上拉驱动器,连接在所述电源端子与所述第二节点之间并且配置为根据所述上拉编码控制用于至少一个第二高位比特的驱动能力;
第二LSB上拉驱动器,连接在所述电源端子与所述第二节点之间并且配置为根据所述上拉编码控制用于至少一个第二低位比特的驱动能力;
第二MSB下拉驱动器,连接在所述第二节点与所述地端子之间并且配置为根据所述下拉编码控制用于至少一个第二高位比特的驱动能力;
第二LSB下拉驱动器,连接在所述第二节点与所述地端子之间并且配置为根据所述下拉编码控制用于至少一个第二低位比特的驱动能力;以及
MSB附加驱动器,连接到所述第一节点并且配置为根据所述MSB附加编码控制用于至少一个第一高位比特的驱动能力;以及
LSB附加驱动器,连接到所述第一节点并且配置为根据所述LSB附加编码控制用于至少一个第一低位比特的驱动能力。
2.根据权利要求1所述的存储器设备,还包括:第一选择器,配置为将多个信号电平中的一个选择为所述第一参考电压。
3.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,所述多电平信令是4级脉冲幅度调制PAM4信令,并且
其中,所述存储器设备还包括:
第一选择器,配置为将第一信号电平、第二信号电平和第三信号电平中的一个选择为所述第一参考电压;以及
第二选择器,配置为将所述第一信号电平选择为所述第二参考电压。
4.根据权利要求3所述的存储器设备,其中,所述第一信号电平高于所述第二信号电平,
其中,所述第二信号电平高于所述第三信号电平,
其中,所述第三信号电平高于所述地端子的电平,并且
其中,所述地端子的电平是第四信号电平。
5.根据权利要求4所述的存储器设备,其中,所述第一信号电平对应于数据11,
其中,所述第二信号电平对应于数据10,
其中,所述第三信号电平对应于数据01,并且
其中,所述第四信号电平对应于数据00。
6.根据权利要求4所述的存储器设备,其中,所述第一信号电平是所述电源端子的电平的一半。
7.根据权利要求3所述的存储器设备,其中,在接通所述第一MSB上拉驱动器、所述第一LSB上拉驱动器、所述第二MSB上拉驱动器、所述第二LSB上拉驱动器、所述第二MSB下拉驱动器和所述第二LSB下拉驱动器以后,所述RLM控制器配置为:
将所述第一信号电平设置为所述第一参考电压,
将所述第一信号电平设置为所述第二参考电压,以及
对所述上拉编码和所述下拉编码进行校准。
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