[发明专利]存储器设备、校准存储器设备的信号电平的方法及具有存储器设备的存储器系统在审

专利信息
申请号: 202111053099.8 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN114187936A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 严泳度;朴宰佑;孙永训;崔荣暾;崔桢焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 设备 校准 信号 电平 方法 具有 系统
【说明书】:

一种校准存储器设备的信号电平的方法,包括:使用用于非归零(NRZ)信令的ZQ校准,执行上拉编码校准和下拉编码校准;使用用于4级脉冲幅度调制(PAM4)信令的最高有效位(MSB)附加驱动器,执行MSB编码校准;以及使用用于PAM4信令的最低有效位(LSB)附加驱动器,执行LSB编码校准。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年9月14日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2020-0117509的权益,将其公开通过引用全部合并在此。

技术领域

本公开的发明构思涉及存储器设备、校准存储器设备的信号电平的方法及具有存储器设备的存储器系统。

背景技术

通常,随着移动设备的快速供应和互联网接入量上的迅速增加,对于高容量和高速度数据传输的需求不断增长。然而,基于非归零(NRZ)型编码的信号调制方案可能难以用于满足这些高容量和高速度数据传输需求。最近,已经积极地研究了4级脉冲幅度调制(PAM4)方法,作为用于高容量和高速度数据传输的信号方法的一种替代方法。

发明内容

示例实施例提供了一种控制电平间隔失配比率(RLM)的存储器设备、校准存储器设备的信号电平的方法、以及包括存储器设备的存储器系统。

示例实施例提供了一种保持多电平信令的相同的信号电平间隔的存储器设备、校准存储器设备的信号电平的方法、以及包括存储器设备的存储器系统。

根据示例实施例,一种存储器设备,包括:收发器,配置为根据多电平信令发送或接收数据;以及电平间隔失配比率(RLM)控制器,配置为在所述收发器的数据传输操作期间调整信号电平之间的至少一个间隔,其中,所述RLM控制器包括:电阻器,连接在第一节点和地端子之间;第一比较器,配置为通过将所述第一节点的第一调整电压与第一参考电压进行比较而输出第一比较电压;第二比较器,配置为通过将第二节点的第二调整电压与第二参考电压进行比较而输出第二比较电压;第一编码生成器,配置为生成与所述第一比较电压相对应的上拉编码、最高有效位(MSB)附加编码或最低有效位(LSB)附加编码;第二编码生成器,配置为生成与所述第二比较电压相对应的下拉编码;第一MSB上拉驱动器,连接在电源端子与所述第一节点之间并且配置为根据所述上拉编码控制用于至少一个第一高位比特的驱动能力;第一LSB上拉驱动器,连接在所述电源端子与所述第一节点之间并且配置为根据所述上拉编码控制用于至少一个第一低位比特的驱动能力;第一MSB下拉驱动器,连接在所述第一节点与所述地端子之间并且配置为根据所述下拉编码控制用于至少一个第一高位比特的驱动能力;以及第一LSB下拉驱动器,连接在所述第一节点与所述地端子之间并且配置为根据所述下拉编码控制用于至少一个第一低位比特的驱动能力;第二MSB上拉驱动器,连接在所述电源端子与所述第二节点之间并且配置为根据所述上拉编码控制用于至少一个第二高位比特的驱动能力;第二LSB上拉驱动器,连接在所述电源端子与所述第二节点之间并且配置为根据所述上拉编码控制用于至少一个第二低位比特的驱动能力;第二MSB下拉驱动器,连接在所述第二节点与所述地端子之间并且配置为根据所述下拉编码控制用于至少一个第二高位比特的驱动能力;第二LSB下拉驱动器,连接在所述第二节点与所述地端子之间并且配置为根据所述下拉编码控制用于至少一个第二低位比特的驱动能力;以及MSB附加驱动器,连接到所述第一节点并且配置为根据所述MSB附加编码控制用于至少一个第一高位比特的驱动能力;以及LSB附加驱动器,连接到所述第一节点并且配置为根据所述LSB附加编码控制用于至少一个第一低位比特的驱动能力。

根据示例实施例,一种校准存储器设备的信号电平的方法,包括:使用用于第一信令的ZQ校准来执行上拉编码校准和下拉编码校准;使用连接到第一节点的最高有效位(MSB)附加驱动器,执行用于第二信令的附加MSB编码校准;以及使用最低有效位(LSB)附加驱动器执行用于所述第二信令的附加LSB编码校准。所述第一信令可以是2级信号并且所述第二信令可以至少是3级信号。

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