[发明专利]一种声表面波谐振装置的封装方法在审

专利信息
申请号: 202111053741.2 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN113824421A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 韩兴;周建 申请(专利权)人: 常州承芯半导体有限公司
主分类号: H03H3/08 分类号: H03H3/08;H03H9/25
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 213166 江苏省常州市武*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面波 谐振 装置 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,包括:

形成第一层,所述形成第一层包括:提供声表面波谐振装置,所述声表面波谐振装置包括:衬底层,所述衬底层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧;电极层,位于所述第一侧,位于所述衬底层上;形成连接部,位于所述第一侧,位于所述衬底层上,连接所述电极层;

形成第二层,所述形成第二层包括:提供封装基底;

连接所述第一层和所述第二层,所述封装基底位于所述第一侧,所述封装基底与所述电极层之间包括空腔;

向位于所述衬底层第二侧上对应所述连接部的位置照射激光,用于在所述位置形成通孔。

2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述连接部包括:连接盘,所述连接部的材料包括:铝。

3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述激光的波长大于345纳米。

4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述衬底层包括:压电层,所述压电层的材料包括以下之一:钽酸锂、铌酸锂。

5.如权利要求4所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述声表面波谐振装置还包括:温度补偿层,位于所述第一侧,位于所述压电层上,所述温度补偿层的材料包括:二氧化硅、氧化氟硅、氧化碳硅。

6.如权利要求4所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述衬底层还包括:基底,所述压电层位于所述基底上,所述压电层靠近所述第一侧,所述基底靠近所述第二侧,所述基底的材料包括:硅、蓝宝石、尖晶石。

7.如权利要求1所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述形成第一层还包括:形成第一支撑部,位于所述第一侧,位于所述衬底层上,所述电极层及所述连接部位于所述第一支撑部内侧。

8.如权利要求7所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述形成第二层还包括:形成第二支撑部,位于所述封装基底的一侧。

9.如权利要求8所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,连接所述第一层和所述第二层包括:键合所述第一支撑部和所述第二支撑部。

10.如权利要求1所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,还包括:金属填充所述通孔,形成电导线导通所述连接部。

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