[发明专利]一种声表面波谐振装置的封装方法

说明书

本发明实施例提供一种声表面波谐振装置的封装方法，包括：形成第一层，形成第一层包括：提供声表面波谐振装置，声表面波谐振装置包括：衬底层，衬底层包括第一侧及第一侧相对的第二侧；电极层，位于第一侧，位于衬底层上；形成连接部，位于第一侧，位于衬底层上，连接电极层；形成第二层，形成第二层包括：提供封装基底；连接第一层和第二层，封装基底位于第一侧，封装基底与电极层之间包括空腔；向位于衬底层第二侧上对应连接部的位置照射激光，用于在该位置形成通孔。上述声表面波谐振装置的封装方法在保证良率的前提下，提升了封装的效率，可用于SAW谐振装置的大规模量产。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，本发明涉及一种声表面波谐振装置的封装方法。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(SurfaceAcoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated PassiveDevices，IPD)滤波器等。

SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz至2.7GHz，BAW滤波器的使用频率一般为0.7GHz至7GHz。

SAW谐振器的封装可以采用晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip ScalePackage，WLCSP)技术。WLCSP是对整片主晶圆进行封装和测试后，再切割成芯片的技术，封装后的芯片尺寸与主晶圆上晶片的尺寸几乎一致。WLCSP与传统的晶片封装方式，例如，方型扁平式封装(Quad Flat Package，QFP)、球栅阵列封装(Ball Grid Array package，BGA)，的不同在于，传统的晶片封装是先切割再封测，而封装后的芯片比未封装的晶片的尺寸增加约20％。

WLCSP在键合主晶圆和封装晶圆后，在所述主晶圆的基底上形成通孔(例如图1所示)，然后向所述通孔内填充金属形成电导线，用于连接凸块(bump)。然而，SAW谐振器的基底一般采用压电材料基底(例如，钽酸锂基底、铌酸锂基底)，采用传统开孔工艺在压电材料基底上开孔的效率较低(例如，干法刻蚀开孔工艺)，不适用于SAW谐振器的大规模量产。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种SAW谐振装置的封装方法，在保证良率的前提下，提升了封装效率，可用于SAW谐振装置的大规模量产。

本发明实施例提供一种声表面波谐振装置的封装方法，包括：形成第一层，所述形成第一层包括：提供声表面波谐振装置，所述声表面波谐振装置包括：衬底层，所述衬底层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧；电极层，位于所述第一侧，位于所述衬底层上；形成连接部，位于所述第一侧，位于所述衬底层上，连接所述电极层；形成第二层，所述形成第二层包括：提供封装基底；连接所述第一层和所述第二层，所述封装基底位于所述第一侧，所述封装基底与所述电极层之间包括空腔；向位于所述衬底层第二侧上对应所述连接部的位置照射激光，用于在所述位置形成通孔。

在一些实施例中，所述连接部包括：连接盘，所述连接部的材料包括：铝。

在一些实施例中，所述激光的波长大于345纳米。

在一些实施例中，所述衬底层包括：压电层，所述压电层的材料包括以下之一：钽酸锂、铌酸锂。

在一些实施例中，所述声表面波谐振装置还包括：温度补偿层，位于所述第一侧，位于所述压电层上，所述温度补偿层的材料包括：二氧化硅、氧化氟硅、氧化碳硅。