[发明专利]一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用

权利要求书

1.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；

R：29.0～31.5wt％；

B：0.87-0.91wt％；

所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；

所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：

(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；

(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；

wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；

余量为Fe和Co及不可避免的杂质；

所述R中还可包括重稀土元素RH。

2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ti/(Cu+Ga)为0.01-0.5或0.003-0.8，例如0.25；

和/或，所述(Ti+Cu+Ga)为0.45-0.5；

和/或，所述R-T-B系永磁材料的晶界处存在富含Ti的R_m(Fe+Co)_1-m-x-y-z(Cu_xGa_yTi_z)富集相，其中：m 25.5-30at％，x 0-2at％，y 1.5-2.5at％，z 5.5-6.5at％，at％是指原子百分比；所述m较佳地为25.5-29.6at％，例如28.8at％、28.9at％、29.1at％或29.4at％；所述x较佳地为0.5-2at％或0-1.7at％，例如1.5at％或1.6at％；所述y较佳地为1.5-2.3at％，例如2.4at％、1.6at％或1.8at％；所述z较佳地为5.5-5.9at％，例如5.8at％。

3.如权利要求1或2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量为29-31wt％或29.5-31.5wt％，例如29.7wt％、30wt％或30.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；

和/或，所述RH的含量为0-1wt％且不为1wt％，例如0.2wt％或0.7wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；

和/或，所述B的含量为0.89-0.905wt％，例如0.9wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；

和/或，所述Ti的含量范围为0-0.2wt％且不为0，例如0.001-0.2wt％，再例如0.005wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；

和/或，所述Cu的含量范围为0-0.15wt％，例如0.1wt％或0.05wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；

和/或，所述Ga的含量范围为0.2-0.4wt％，例如0.345wt％、0.15wt％、0.25wt％或0.3wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；

和/或，所述Co的含量范围为0.5-2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比。

4.如权利要求1～3中任一项所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：

R 29.0～31.0wt％；RH 0-1wt％且不为1wt％；B 0.87-0.91wt％；Ti 0-0.2wt％且不为0；Cu 0-0.15wt％；Ga 0.2-0.4wt％；Co 0.5-2wt％；wt％是指占所述R-T-B系永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质；

或者，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：R 29.5～31.5wt％；RH0-1wt％且不为1wt％；B 0.87-0.91wt％；Ti 0-0.2wt％且不为0；Cu 0-0.15wt％；Ga 0.2-0.4wt％；Co 0.5-2wt％；wt％是指占所述R-T-B系永磁材料的重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。