[发明专利]一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用

说明书

本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；R：29.0～31.5wt％；B：0.87‑0.91wt％；所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料中的重量百分比；余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异：非晶界扩散品Br≥14.50kGs，Hcj≥15kOe，晶界扩散品：Br≥14.50kGs，Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。

本发明是申请日为2019年12月31日申请号为201911425263.6、发明创造名称为“一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用”的专利申请的分案。

技术领域

本发明涉及一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。

背景技术

永磁材料作为支撑电子器件的关键材料被开发出来，发展方向向着高磁能积及高矫顽力的方向进行。R-T-B系永磁材料(R为稀土类元素中的至少一种)已知为永久磁铁中性能最高的磁铁，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动车用(EV、HV、PHV等)电机、工业设备用电机等各种电机和家电制品等。

对于R-T-B系烧结磁铁，通常通过添加Dy、Tb等重稀土，或者采用重稀土晶界扩散来提升磁体矫顽力Hcj，但重稀土资源稀缺，价格昂贵。而现有技术中通过降低磁体B含量，并添加Cu/Al/Ga使其生成R₆-T₁₃-X(X指Cu/Al/Ga)优化晶界，提升Hcj，从而减少重稀土使用量；但B含量降低使R₂T₁₄B主相的体积分数下降，从而导致磁体的剩余磁通密度Br下降。

因此，亟需一种Hcj和Br能够得到同时提升的R-T-B系永磁材料。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术中R-T-B系永磁材料的Hcj和Br不能同时得到提升的缺陷，而提供一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。

本发明是通过以下技术方案来解决上述技术问题的：

本发明提供了一种R-T-B系永磁材料，以重量百分比计，其包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；

R：29.0～31.5wt％；

B：0.87-0.91wt％；

所述R为稀土元素，所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：

(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；

(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；

wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；

余量为Fe和Co及不可避免的杂质。

本发明中，所述R中还可包括重稀土元素RH。

本发明中，所述Ti/(Cu+Ga)较佳地为0.01-0.5或0.003-0.8，例如0.25。

本发明中，所述(Ti+Cu+Ga)较佳地为0.45-0.5。