[发明专利]一种超低B值的负温热敏电阻组件及制备方法

权利要求书

1.一种超低B值的负温热敏电阻组件，其特征在于：包括通过灌封胶整体封装的负温热敏电阻芯体、第一固定电阻器和第二固定电阻器，所述负温热敏电阻芯体的第一端分别与所述第一固定电阻的第一端和所述第二固定电阻的第一端连接，所述负温热敏电阻芯体的第二端与所述第一固定电阻的第二端连接，所述第一固定电阻的第二端引线的外端和所述第二固定电阻的第二端引线的外端分别置于所述灌封胶外。

2.根据权利要求1所述的超低B值的负温热敏电阻组件，其特征在于：所述负温热敏电阻芯体的阻值范围为(7.0～24.5)kΩ，B值范围为(3900～4050)K，所述第一固定电阻器的阻值范围为A×(0.10～0.15)，所述第二固定电阻器的阻值范围为A×(0.85～0.95)，其中A为所述负温热敏电阻组件的设定阻值。

3.根据权利要求1或2所述的超低B值的负温热敏电阻组件，其特征在于：所述第一固定电阻器为RJ23型金属膜电阻器，所述第二固定电阻器为RJ24型金属膜电阻器。

4.根据权利要求1或2所述的超低B值的负温热敏电阻组件，其特征在于：所述灌封胶为环氧树脂。

5.一种如权利要求1或2所述的超低B值的负温热敏电阻组件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1、负温热敏电阻芯体的制备，包括以下步骤：

步骤1.1、配料：采用MN二元体系掺杂Cr₂O₃的配方，并将各氧化物原材料经配方计算、称量后，与锆球、去离子水一同加入搅拌球磨机中，球磨时间为(90～120)min，然后再对球磨后的浆料进行干燥、过筛，制成混合粉料；

步骤1.2、造粒：将混合粉料与粘合剂按质量比为5：1的比例混合后，经预压、粉碎制成待压粉料；

步骤1.3、成型：称取(50±2)g待压粉料，采用ф40mm的成型模具，在液压机上以(120～130)×0.1MPa的压强、(120～150)s的保压时间，成型为厚度为(10～20)mm的电阻生坯；

步骤1.4、烧结：将电阻生坯平摆于预先撒上适量氧化铝粉的承烧匣钵内并置于烧结炉中，设置烧结曲线后进行烧结，制成电阻熟坯即电阻基体；其中：烧结曲线共11段，包含从室温梯度升至500℃的排胶4段、从500℃升至最高烧成温度的升温3段、最高烧成温度保温1段、从最高烧成温度梯度降至300℃的降温3段，烧结时长为(45～60)小时，最高烧结温度范围为(1220～1350)℃；烧结得到的电阻基体的电阻率为(3000～7000)Ω.cm，B值为(3900～4050)K；

步骤1.5、切片：采用全自动切割机将电阻基体切割为(0.3～0.6)mm的薄片，得到电阻基体薄片；

步骤1.6、超声波清洗：将电阻基体薄片以去离子水为溶剂，在超声波发生器中超洗(3～6)min；

步骤1.7、制备电极：采用丝网印刷机，在超声波清洗后的电阻基体薄片的两个表面依序印刷钯银浆料，烘干后进行高温烧渗，烧渗温度为(700～900)℃，时间为(20～40)min；

步骤1.8、划片：在全自动精密划片机上将制备电极后的电阻基体薄片划切为长×宽＝(1.00～2.00)mm×(1.00～2.00)mm的热敏电阻芯片，其阻值范围为(7.0～24.5)kΩ；

步骤1.9、焊接：将ф(0.2～0.3)mm的镀银铜线采用锡铅焊料焊接于热敏电阻芯片的两个电极表面，引线呈轴向引出；

步骤1.10、涂覆电阻漆：将焊接后的热敏电阻芯片采用醇酸电阻漆进行涂覆，再以80℃下1h、150℃下2h进行聚合，得到负温热敏电阻芯体；

步骤2、焊接并联电阻：将负温热敏电阻芯体的两端引线分别缠绕于第一固定电阻的两端，采用锡铅焊料进行焊接；

步骤3、焊接串联电阻：将第二固定电阻的第一端引线进行适当剪裁并作90°弯曲处理后与第一固定电阻的第一端进行锡铅焊接；

步骤4、灌封：用灌封胶将连接后的负温热敏电阻芯体、第一固定电阻器和第二固定电阻器灌注在专用模具中，经聚合90℃下2h、脱模后制成负温热敏电阻组件，第一固定电阻的第二端引线的外端和第二固定电阻的第二端引线的外端分别置于灌封胶外。

6.根据权利要求5所述的超低B值的负温热敏电阻组件的制备方法，其特征在于：所述步骤1.10中，醇酸电阻漆的型号为C37-51，所述步骤4中，灌封胶为型号是5052A/B的黑色环氧树脂。