[发明专利]一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能电池

权利要求书

1.一种电池背钝化结构制作方法，其特征在于，包括：

向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层；

向所述镀膜设备中通入第二反应气体，在所述掺杂型钝化层远离所述硅片的表面直接或者间接沉积内反射层。

2.如权利要求1所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层之后，还包括：

向所述镀膜设备中通入所述第一反应气体，在所述掺杂型钝化层远离所述硅片的表面沉积氮氧化硅层；

相应的，在所述掺杂型钝化层远离所述硅片的表面间接沉积内反射层包括：

在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积内反射层。

3.如权利要求2所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，所述第一反应气体包括SiH₄、NH₃和N₂O，所述掺杂型钝化层为掺杂型氮氧化硅层；所述第二反应气体包括SiH₄和NH₃，所述内反射层为氮化硅层。

4.如权利要求3所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积内反射层包括：

在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积依次层叠的多层所述内反射层，所述掺杂气体包括含磷、硼、铝、镓、铟的气体。

5.如权利要求4所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，在远离所述硅片的方向上，依次层叠的多层所述内反射层的折射率逐渐减小。

6.如权利要求5所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，所述内反射层的层数为三层。

7.如权利要求6所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，在远离所述氮氧化硅层的方向上，第一层所述内反射层的折射率在2.35～2.25之间，厚度在10nm～35nm之间；第二层所述内反射层的折射率在2.25～2.1之间，厚度在10nm～20nm之间；第三层所述内反射层的折射率在2.1～1.9之间，厚度在10nm～20nm之间。

8.如权利要求1至7任一项所述的电池背钝化结构制作方法，其特征在于，向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层之前，还包括：

对所述硅片进行酸抛光或者碱抛光处理。

9.一种电池背钝化结构，其特征在于，所述电池背钝化结构由如权利要求1至8任一项所述的电池背钝化结构制作方法制得。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括如权利要求9所述的电池背钝化结构。