[发明专利]一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能电池

说明书

本申请公开了一种电池背钝化结构制作方法，包括向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层；向镀膜设备中通入第二反应气体，在掺杂型钝化层远离硅片的表面直接或间接沉积内反射层。本申请的电池背钝化结构包括层叠在硅片背面的掺杂型钝化层和内反射层，钝化能力增强；本申请在沉积掺杂型钝化层时将掺杂气体和第一反应气体同时通入镀膜设备进行沉积得到的，避免采用先沉积处钝化层再以扩散或离子注入方式对钝化层进行掺杂，缩短制备时间，且避免扩散或离子注入对钝化层造成损伤；由于沉积的是掺杂型钝化层，钝化性能强，可以减薄掺杂型钝化层的厚度，缩短制备工艺时间，进而减少绕镀/背场舟印等不良。

技术领域

本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能电池。

背景技术

太阳能电池是一种可以将太阳能转化为电能的器件。为了提升太阳能电池的效率，背钝化技术应运而生。目前，太阳能电池的背钝化结构是在硅片的背面沉积氧化铝膜层或者氮氧化硅膜层，单层的背钝化膜层钝化能力差，并且单层氮氧化硅膜层厚度较厚，导致制备时间长，制备效率低，同时还会增加绕镀/背场舟印等不良。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能电池，以提升电池背钝化结构的钝化能力、缩短制备工艺时间和提升电池良率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种电池背钝化结构制作方法，包括：

向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层；

向所述镀膜设备中通入第二反应气体，在所述掺杂型钝化层远离所述硅片的表面直接或者间接沉积内反射层。

可选的，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层之后，还包括：

向所述镀膜设备中通入所述第一反应气体，在所述掺杂型钝化层远离所述硅片的表面沉积氮氧化硅层；

相应的，在所述掺杂型钝化层远离所述硅片的表面间接沉积内反射层包括：

在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积内反射层。

可选的，所述第一反应气体包括SiH₄、NH₃和N₂O，所述掺杂型钝化层为掺杂型氮氧化硅层；所述第二反应气体包括SiH₄和NH₃，所述内反射层为氮化硅层。

可选的，在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积内反射层包括：

在所述氮氧化硅层远离所述掺杂型钝化层的表面沉积依次层叠的多层所述内反射层，所述掺杂气体包括含磷、硼、铝、镓、铟的气体。

可选的，在远离所述硅片的方向上，依次层叠的多层所述内反射层的折射率逐渐减小。

可选的，所述内反射层的层数为三层。

可选的，在远离所述氮氧化硅层的方向上，第一层所述内反射层的折射率在2.35～2.25之间，厚度在10nm～35nm之间；第二层所述内反射层的折射率在2.25～2.1之间，厚度在10nm～20nm之间；第三层所述内反射层的折射率在2.1～1.9之间，厚度在10nm～20nm之间。

可选的，向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层之前，还包括：

对所述硅片进行酸抛光或者碱抛光处理。

本申请还提供一种电池背钝化结构，所述电池背钝化结构由如上述任一种所述的电池背钝化结构制作方法制得。

本申请还提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括上述所述的电池背钝化结构。