[发明专利]浮置接触孔的形成方法及半导体器件

权利要求书

1.一种浮置接触孔的形成方法，包括：

获取衬底，所述衬底上形成有隧道氧化层和多个栅极；

沉积、光刻并刻蚀金属硅化物阻挡层，从而使所述隧道氧化层上、所述栅极上及相邻的栅极之间形成金属硅化物阻挡层；

在未形成金属硅化物阻挡层的位置形成自对准金属硅化物；

在所述栅极上、金属硅化物阻挡层上及自对准金属硅化物上形成层间介质层；

在所述层间介质层上涂覆光刻胶，通过接触孔光刻版对所述光刻胶进行曝光然后显影，得到光刻胶图案；所述接触孔光刻版包括浮置接触孔图形，所述浮置接触孔图形包括光刻胶保留区，所述光刻胶保留区的透光性与浮置接触孔图形的其余区域的透光性相反，所述其余区域曝光对应的光刻胶图案在显影时被去除，所述曝光通过控制曝光条件使所述光刻胶保留区曝光对应的光刻胶图案在显影时被部分去除；

以所述光刻胶图案为刻蚀掩膜层，刻蚀所述层间介质层和金属硅化物阻挡层，得到浮置接触孔。

2.根据权利要求1所述的浮置接触孔的形成方法，其特征在于，所述光刻胶是正胶，所述光刻胶保留区为遮光区，所述其余区域为透光区；

所述通过控制曝光条件使所述光刻胶保留区曝光对应的光刻胶图案在显影时被部分去除，包括使所述光刻胶过曝。

3.根据权利要求1所述的浮置接触孔的形成方法，其特征在于，所述光刻胶保留区的宽度占整个浮置接触孔图形的宽度的30％～40％。

4.根据权利要求1所述的浮置接触孔的形成方法，其特征在于，所述浮置接触孔形成于横向扩散金属氧化物半导体场效应管的漂移区上方。

5.根据权利要求4所述的浮置接触孔的形成方法，其特征在于，所述浮置接触孔的宽度为所述漂移区的长度的30％～40％，所述浮置接触孔的宽度方向与所述漂移区的长度方向平行。

6.根据权利要求1所述的浮置接触孔的形成方法，其特征在于，所述使所述隧道氧化层上、所述栅极上及相邻的栅极之间形成金属硅化物阻挡层的步骤中，形成金属硅化物阻挡层包括第一氧化层，所述第一氧化层的厚度为

7.根据权利要求1所述的浮置接触孔的形成方法，其特征在于，所述获取衬底的步骤中，衬底上形成的隧道氧化层的厚度为

8.根据权利要求1所述的浮置接触孔的形成方法，其特征在于，各所述栅极均包括栅氧层和所述栅氧层上的多晶硅栅，所述获取衬底的步骤获取的衬底上还形成有位于各所述栅极两侧的侧墙。

9.根据权利要求1所述的浮置接触孔的形成方法，其特征在于，所述方法应用于BCD工艺中。

10.一种半导体器件，其特征在于，通过权利要求1-5，7-9中任一项所述的浮置接触孔的形成方法形成浮置接触孔，所述半导体器件还包括所述浮置接触孔中填充的导电材料，所述金属硅化物阻挡层包括第一氧化层，所述第一氧化层的厚度为