[发明专利]基板干燥装置

说明书

本发明涉及一种包括基板干燥腔室的基板干燥装置，该基板干燥腔室包括上壳体；下壳体，其联接至上壳体以被打开或关闭；晶片放置板，其联接至下壳体的底表面并且在晶片放置板上放置形成有机溶剂的基板；集成式供应/排出端口，其形成为从下壳体的侧表面延伸至下壳体的中间区域，并且形成为在下壳体的中间区域中面向基板放置板并且提供初始加压用超临界流体的供应路径和其中溶解了形成在基板上的有机溶剂的混合流体的排出路径；以及上供应端口，其形成为在上壳体的中心区域中面向基板放置板以提供干燥用超临界流体的供应路径；和柔性供应/排出管，其联接至下壳体的侧表面以提供初始加压用超临界流体通过其被供应至基板干燥腔室的路径以及混合流体通过其被从基板干燥腔室排出的路径，并具有螺旋线圈形状。

技术领域

本发明涉及一种基板干燥装置。更具体地，本发明涉及一种能够通过防止由于下壳体的重复上升/下降操作(其被执行以在使用超临界流体的基板干燥工艺中打开或关闭腔室)而造成连接到下壳体的金属管损坏并因此造成流体泄漏的问题并通过防止流体通过管道的热损失来提高超临界干燥效率的基板干燥装置。

背景技术

半导体器件的制造工艺包括诸如光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺等各种工艺。在每一道工艺结束后并在进行后续工艺之前，进行清洁工艺和干燥工艺，以去除残留在晶片表面的杂质和残留物，以清洁晶片表面。

例如，在蚀刻工艺之后的晶片清洁工艺中，将用于清洁工艺的化学液体供应至晶片表面上，然后供应去离子水(DIW)以进行漂洗工艺。在漂洗工艺之后，进行干燥工艺以去除残留在晶片表面上的DIW以干燥晶片。

例如，作为执行干燥工艺的方法，通过用异丙醇IPA置换晶片上的DIW来干燥晶片的技术是已知的。

然而，如图1所示，根据这种传统的干燥技术，在干燥过程中，会出现这样的问题，即由于作为液体的IPA的表面张力，形成在晶片上的图案塌陷。

为了解决上述问题，提出了表面张力为零的超临界干燥技术。

根据这种超临界干燥技术，将处于超临界状态的二氧化碳CO₂供应至其表面在腔室中用IPA润湿的晶片，使得晶片上的IPA溶解在超临界CO₂流体中。然后，将溶解了IPA的超临界CO₂流体逐渐从腔室中排出，使得可以干燥晶片而不会使图案塌陷。

图2示出了韩国专利公开申请第10-2017-0137243号中公开的基板处理腔室，该申请是与使用这种超临界流体的基板处理装置相关的相关技术。

参考图2，在超临界干燥工艺中去除有机溶剂的过程中，有机溶剂可以被引入到联接表面中，在该联接表面上构成高压腔室410的上主体430和下主体420彼此接触。引入到上主体430和下主体420的联接表面上的有机溶剂变成聚集在联接表面周围的颗粒。

在超临界干燥工艺结束后，打开高压腔室410以将处理后的晶片卸载到外部。在这种情况下，由于高压腔室410的内部与其外部之间的压力差，上主体430和下主体420的联接表面周围的颗粒可能被引入到高压腔室410的内部。

根据韩国专利公开申请第10-2017-0137243号，由于基板位于上主体430和下主体420的联接表面下方，因此在上主体430和下主体420的联接表面周围的颗粒被引入高压腔室410的内部时，一些颗粒很可能由于重力作用被引入到基板上。

如上所述，由于被引入到基板上的颗粒会导致工艺缺陷，为了防止颗粒被引入，有必要在上主体430和下主体420的联接表面周围额外安装阻挡帘。因此，存在装置的整体结构复杂的问题。