[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成有源基层、第一金属基层和第二金属基层；

蚀刻所述第一金属基层和所述第二金属基层，以分别形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层构成源漏极图案；

蚀刻所述有源基层，以形成有源层图案；

利用蚀刻液对所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻，以分别形成金属阻挡层和导电金属层，所述源漏极图案形成为源极和漏极，所述第一金属层在所述蚀刻液中的蚀刻速率小于所述第二金属层在所述蚀刻液中的蚀刻速率；所述蚀刻液包括酸性氧化剂和金属蚀刻剂，所述酸性氧化剂在所述蚀刻液中的质量含量为5％-6％，所述金属蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量含量为0.01％-0.05％；

蚀刻所述有源层图案，以形成有源层；

其中，在所述源极和/或所述漏极远离所述有源层的沟道区的一端，所述金属阻挡层包括第一凸部，所述第一凸部自所述导电金属层的端部向远离所述沟道区的方向延伸。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述沟道区朝向所述源极和/或所述漏极的方向上，所述第一凸部的长度为0.05μm-1.5μm。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一凸部的长度为1.0μm-1.5μm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源基层包括依次形成的非晶硅基层和欧姆接触基层，所述有源层图案包括非晶硅层和欧姆接触层图案，所述蚀刻所述有源层图案的步骤，包括：

蚀刻所述欧姆接触层图案，以形成欧姆接触层，所述非晶硅层和所述欧姆接触层构成所述有源层；其中，所述非晶硅层具有第一子凸部，所述欧姆接触层具有第二子凸部，在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述第一子凸部和所述第二子凸部均自所述第一凸部的端部向远离所述沟道区的方向延伸。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层包括第二凸部，所述第二凸部自所述第一凸部的端部向远离所述沟道区的方向延伸。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述沟道区朝向所述源极和/或所述漏极的方向上，所述第二凸部的长度处于0μm至2μm的范围内。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述金属阻挡层的材料包括钼或钼合金中的至少一种，所述导电金属层的材料包括铜。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液还包括酸性稳定剂、PH调节剂、蚀刻抑制剂以及金属离子稳定剂。