[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。所述阵列基板包括衬底、有源层、源极以及漏极；所述有源层设置在所述衬底上，所述有源层具有一沟道区；所述源极和所述漏极设置在所述有源层上，所述源极和所述漏极位于所述沟道区的相对两侧，所述源极和所述漏极均包括依次设置在所述有源层上的金属阻挡层和导电金属层；在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述金属阻挡层包括第一凸部，所述第一凸部自所述导电金属层的端部向远离所述沟道区的方向延伸。本申请减小了有源层相较于源极和/或漏极的外凸长度。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

随着液晶显示技术的快速发展，相应的阵列基板的制作工艺也在快速发展。相较于传统阵列基板的5道光罩制程，目前的阵列基板主要采用4道光罩(4Mask)制备得到，以达到节省成本的目的。

在4Mask工艺中，由于有源层和源漏极采用同一道光罩制得，因此，在制备得到的有源层中，不可避免地会出现有源层相对于上方的源漏极外凸长度较大的现象。其中，有源层相较于源漏极凸出的部分称为非晶硅尾纤(Amorphous Silion Tail,AS Tail)，当ASTail长度过大时，会影响阵列基板中驱动信号的稳定性。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以减小AS Tail的长度。

本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：

衬底；

有源层，设置在所述衬底上，所述有源层具有一沟道区；

源极，设置在所述有源层上；以及

漏极，设置在所述有源层上，所述源极和所述漏极位于所述沟道区的相对两侧，所述源极和所述漏极均包括依次设置在所述有源层上的金属阻挡层和导电金属层；

其中，在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述金属阻挡层包括第一凸部，所述第一凸部自所述导电金属层的端部向远离所述沟道区的方向延伸。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述沟道区朝向所述源极和/或所述漏极的方向上，所述第一凸部的长度为0.05μm-1.5μm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一凸部的长度为1.0μm-1.5μm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层包括第二凸部，所述第二凸部自所述第一凸部的端部向远离所述沟道区的方向延伸。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层包括非晶硅层和欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层靠近所述金属阻挡层的一侧，所述第二凸部包括第一子凸部和第二子凸部，所述第一子凸部位于所述非晶硅层中，所述第二子凸部位于所述欧姆接触层中；

在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述第一子凸部和所述第二子凸部均自所述第一凸部的端部向远离所述沟道区的方向延伸。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层包括非晶硅层和欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层靠近所述金属阻挡层的一侧，所述第二凸部位于所述非晶硅层中；

在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述欧姆接触层的侧面与所述第一凸部的侧面齐平。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述沟道区朝向所述源极和/或所述漏极的方向上，所述第二凸部的长度处于0μm至2μm的范围内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属阻挡层的材料包括钼或钼合金中的至少一种，所述导电金属层的材料包括铜。

本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括前述任一实施例所述的阵列基板。