[发明专利]一种显示面板制作方法、拼接屏制作方法及显示装置在审
申请号: | 202111059247.7 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113782556A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 李林霜 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 拼接 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板制作方法、拼接屏制作方法及显示装置,涉及显示装置制作技术领域,本发明所提供的显示面板制作方法、拼接屏制作方法及显示装置,主要对背板、盖板之间的封装工序作出改进,在本发明所提供的实施例中,背板和盖板在进行封装时,首先于两者之间设置支撑墙,使得支撑墙配合背板、盖板一并围合出收容发光器件的待灌注腔,再进行封装胶灌注。其中,由于背板和盖板之间受到了支撑墙的支撑作用,所以固化后形成于待灌注腔当中的封装胶能够维持在一个较为稳定的膜层厚度,减少了显示面板当中封装胶膜层厚度误差,进而减少了不同待拼接显示面板中封装胶膜层厚度差异,提升了封装胶膜层厚度的均一性。
技术领域
本发明涉及显示装置制作技术领域,尤其涉及一种显示面板制作方法及显示装置。
背景技术
相较于传统方式当中的OLED和LCD显示技术,MiniLED或MicroLED显示技术具有更低的功耗、更快的响应时间以及更高的图像分辨率和色域。
但受限于MiniLED或MicroLED显示面板的尺寸,目前大尺寸的MiniLED或MicroLED显示装置主要通过多个显示面板之间的拼接所构成。现有技术中,MiniLED或MicroLED显示面板主要通过封装胶和玻璃盖板来实现对发光器件的封装。其中,封装胶直接形成于背板之上,封装胶膜层厚度较难控制,这导致不同显示面板中封装胶的膜层厚度往往具有差异,同时,封装胶对盖板的支撑性不足,也会进一步扩大各显示面板的厚度差异,进而影响了拼接屏、显示装置的显示效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种显示面板制作方法、拼接屏制作方法及显示装置,其能够减少封装胶膜层的厚度误差。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案为:
第一方面,本发明提供了一种显示面板制作方法,包括步骤:
提供一背板,所述背板的一面上设置有发光器件;
提供一与所述背板彼此相对的盖板,在所述背板、所述盖板之间设置支撑墙,以使所述支撑墙、所述背板和所述盖板围合出一收容所述发光器件的待灌注腔;
对所述待灌注腔灌注封装胶并固化所述封装胶,以形成显示面板。
在本申请部分实施例中,提供一与所述背板彼此相对的盖板,在所述背板、所述盖板之间设置支撑墙,以使所述支撑墙、所述背板和所述盖板围合出一收容所述发光器件的待灌注腔,包括:
提供一盖板,在所述盖板的一面设置支撑墙;
使所述盖板设有所述支撑墙的一面和所述背板设有所述发光器件的一面彼此相对;
使所述支撑墙与所述背板设有所述发光器件的一面接触,让所述盖板和所述背板在所述支撑墙的支撑下保持预设间距,以使所述支撑墙、所述背板和所述盖板围合出一收容所述发光器件的待灌注腔。
在本申请部分实施例中,所述背板的一面上具有显示区域和环绕所述显示区域的非显示区域,所述发光器件设置于所述显示区域上;
其中,所述使所述支撑墙与所述背板设有所述发光器件的一面接触,包括:
使所述支撑墙与所述背板设有所述发光器件的一面接触,并且使所述支撑墙在所述背板上的投影由所述非显示区域所覆盖。
在本申请部分实施例中,所述支撑墙包括基底和填充于所述基底中的填充物。
在本申请部分实施例中,所述填充物质地的硬度被配置成大于所述基底质地的硬度。
在本申请部分实施例中,所述填充物为球体,所述填充物的球径为所述预设间距的0.4至0.6倍。
在本申请部分实施例中,所述基底的材质为环氧树脂或甲基丙烯酸甲酯或硅胶,所述填充物的材质为SiO2或氧化铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的