[发明专利]一种带光放大功能的光接收TO

说明书

本发明公开一种带光放大功能的光接收TO，应用于光器件领域，针对现有的光接收TO不能满足高速和长距离传输的要求的问题；本发明对现有光接收TO进行改进，将SOA与PD集成封装在一颗TO内，可以极大的减少封装器件的大小，并且器件的稳定性也得以提高；相比于现有的普通的光接收TO，本发明的光接收TO可支持更高速率更长距离的传输。

技术领域

本发明属于光器件领域，特别涉及一种光接收TO技术。

背景技术

现有的光接收TO，内部只有PIN光电探测器(PIN PD)或者是雪崩型光电探测器(APD)，前者可以满足25G信号10km左右距离的传输，后者利用雪崩效应可将光生电流放大10倍左右，可以满足25G信号40km距离的传输，但面对高速和长距离传输的要求，现有技术仍然存在局限性。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提出一种带光放大功能的光接收TO，将SOA与PD集成封装在一颗TO内，可以极大的减少封装器件的大小，并且器件的稳定性也得以提高。

本发明采用的技术方案为：一种带光放大功能的光接收TO，包括：半导体光放大器芯片3、SOA芯片基板5、热沉6、聚焦透镜7、光电探测器8、跨阻放大器9、TO底座11；所述SOA芯片基板5用于承载半导体光放大器芯片3；所述热沉6用于为SOA芯片基板5、聚焦透镜7、光电探测器8、跨阻放大器9提供支撑；

其中，半导体光放大器芯片3、聚焦透镜7、光电探测器8、跨阻放大器9，位于主光路上，光信号耦合进入半导体光放大器芯片3进行放大，放大后的光信号经聚焦透镜7耦合至光电探测器8内，光电探测器8将接收到的光信号转换为电信号输入至跨阻放大器9进行处理，跨阻放大器9输出电压信号。

还包括：热敏电阻4、半导体制冷器10，所述热敏电阻4设置于SOA芯片基板5上，半导体制冷器10设置于跨阻放大器9下方。

还包括金属管帽1，用于密封整个光接收TO内部的元件。

还包括密封玻璃片或透镜2，作为光信号传输窗口，并密封金属管帽。

本发明的有益效果：本发明的光接收TO将SOA与PD集成封装在一颗TO内，可以极大的减少封装器件的大小，并且器件的稳定性也得以提高；相比于现有的普通的光接收TO，本发明的光接收TO可支持更高速率更长距离的传输。

附图说明

图1为本发明光接收TO的正视图；

图2为本发明光接收TO的俯视图；

其中，1为金属管帽；2为密封玻璃片或透镜；3为半导体光放大器芯片(SOA Chip)；4为热敏电阻；5为SOA芯片基板；6为热沉；7为聚焦透镜；8为光电探测器(PD)；9为跨阻放大器(TIA)；10为半导体制冷器(TEC)；11为TO底座。

具体实施方式

为便于本领域技术人员理解本发明的技术内容，下面结合附图对本发明内容进一步阐释。

如图1所示，本发明的光接收TO包括：金属管帽1、密封玻璃片或透镜2、半导体光放大器芯片3、热敏电阻4、SOA芯片基板5、热沉6、聚焦透镜7、光电探测器8、跨阻放大器9、半导体制冷器10、TO底座11；

金属管帽1，用于密封整个光接收TO内部的元件，防止水汽粉尘等污染物进入。

密封玻璃片或透镜2，作为光信号传输窗口，并密封TO管帽。

半导体光放大器芯片(SOA Chip)3，用于将光信号进行放大。

热敏电阻4，对温度进行监控，并为TEC提供参考温度，其贴装在SOA芯片基板上，并且靠近SOA芯片。

SOA芯片基板5，用于承载SOA芯片以及热敏电阻。