[发明专利]一种基于SEDRAM的堆叠式器件以及堆叠式系统

权利要求书

1.一种基于SEDRAM的堆叠式器件，其特征在于，包括：末级缓存组件以及处理器组件，

所述末级缓存组件包括：控制组件以及存储器组件；所述控制组件至少包括SEDRAM控制器以及末级缓存控制器、DDR控制器，所述SEDRAM控制器控制所述存储器组件的存储与访问，所述末级缓存控制器通过所述SEDRAM控制器将所述存储器组件存储的数据至少部分更新至所述处理器组件；所述DDR控制器用于连接DDR存储器，每一所述DDR控制器用于连接一组所述DDR存储器；所述末级缓存控制器通过所述DDR控制器将所述DDR存储器存储的数据更新至SEDRAM和缓存单元；所述存储器组件包括所述SEDRAM，所述SEDRAM的存储访问位宽大于DDR存储器的位宽；

所述控制组件包括第三键合引出区域；

所述存储器组件包括第四键合引出区域；

所述第三键合引出区域与所述第四键合引出区域之间形成三维异质键合结构，以将所述控制组件与所述存储器组件键合连接；

所述处理器组件包括第一键合引出区域；

所述控制组件远离所述存储器组件的一表面包括第二键合引出区域；

所述第一键合引出区域与所述第二键合键合引出区域之间形成三维异质键合结构，以将所述末级缓存组件与所述处理器组件键合连接。

2.根据权利要求1所述的堆叠式器件，其特征在于，所述处理器组件包括：至少一个核心模块，

所述核心模块包括：处理核心单元以及缓存单元，所述处理核心单元连接所述缓存单元，以对所述缓存单元进行存储和访问。

3.根据权利要求2所述的堆叠式器件，其特征在于，所述缓存单元包括第一缓存单元；或者

所述缓存单元包括第一缓存单元和第二缓存单元；所述处理核心单元连接所述第一缓存单元，所述第一缓存单元连接所述第二缓存单元。

4.根据权利要求3所述的堆叠式器件，其特征在于，所述存储器组件包括：

一层SEDRAM(StackEmbeds DRAM，堆叠嵌入式DRAM)，一层SEDRAM的所述第四键合引出区域与所述控制组件的所述第三键合引出区域形成三维异质键合结构，以将所述控制组件与一层SEDRAM键合连接。

5.根据权利要求3所述的堆叠式器件，其特征在于，所述存储器组件包括：

至少两层SEDRAM(StackEmbeds DRAM，堆叠嵌入式DRAM)，靠近所述控制组件的SEDRAM的所述第四键合引出区域与所述控制组件的所述第三键合引出区域形成三维异质键合结构，以将所述控制组件与靠近所述控制组件的SEDRAM键合连接；

其余相邻的所述SEDRAM的所述第四键合引出区域之间形成三维异质键合结构，以将相邻的所述SEDRAM键合连接。

6.根据权利要求4或5所述的堆叠式器件，其特征在于，所述SEDRAM控制器通过所述第三键合引出区域以及所述第四键合引出区域与所述SEDRAM连接，用于控制所述SEDRAM的存储与访问。

7.根据权利要求6所述的堆叠式器件，其特征在于，所述末级缓存控制器通过所述SEDRAM控制器，将所述SEDRAM存储的数据至少部分更新至所述第二缓存单元。

8.根据权利要求6所述的堆叠式器件，其特征在于，所述处理器组件还包括：第三缓存单元；

所述第三缓存单元连接至少部分所述核心模块中的所述第二缓存单元；

所述末级缓存控制器通过所述SEDRAM控制器，将所述SEDRAM存储的数据至少部分更新至所述第三缓存单元。

9.根据权利要求6所述的堆叠式器件，其特征在于，所述末级缓存组件包括：第三缓存单元；

所述第三缓存单元通过所述第一键合引出区域以及所述第二键合引出区域连接至少部分所述核心模块中的所述第二缓存单元；

所述末级缓存控制器通过所述SEDRAM控制器，将所述SEDRAM存储的数据至少部分更新至第三缓存单元，并将所述第三缓存单元存储的数据至少部分更新至所述第二缓存单元。