[发明专利]一种OLED器件支撑柱的结构及其制作方法在审
申请号: | 202111062788.5 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113659095A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 温质康;乔小平;苏智昱 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 支撑 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED器件支撑柱的结构,包括玻璃基板(1),其特征在于:所述玻璃基板(1)上沉积有金属遮光层(2),所述金属遮光层(2)经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案,且金属遮光层(2)上面沉积一层缓冲层(3),所述缓冲层(3)上沉积溅射一层有源层(4);
所述有源层(4)上沉积一层栅极绝缘层(6),所述栅极绝缘层(6)上溅射一层金属栅极(7),所述栅极绝缘层(6)和金属栅极(7)采用同一套光罩,经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案,所述金属栅极(7)上沉积一层钝化层(9),所述钝化层(9)经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案;
所述钝化层(9)的开孔图案上溅射一层金属层,金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极(5)和金属漏极(8),所述金属源极(5)和金属漏极(8)通过钝化层(9)的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层(4)进行欧姆搭接,并且金属源极(5)与下层的金属遮光层(2)搭接在一起;
所述金属源极(5)和金属漏极(8)上沉积一层平坦层(10),所述平坦层(10)经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案,所述平坦层(10)的开孔图案上溅射一层电极层(11),所述电极层(11)经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案,所述电极层(11)上涂布一层像素定义层(12),所述像素定义层(12)经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案;
所述像素定义层(12)上涂布有支撑柱本体(13),所述支撑柱本体(13) 中的胶水中掺杂磁性颗粒(14),所述像素定义层(12)的图案开孔处制备沉积OLED发光器件(15),并形成隔离封装盖板隔离水氧。
2.根据权利要求1所述的一种OLED器件支撑柱的结构,其特征在于:所述金属遮光层(2)的材料为金属Mo,其厚度范围为0.1um-0.2um。
3.根据权利要求1所述的一种OLED器件支撑柱的结构,其特征在于:所述缓冲层(3)的材料为SiO2或者SiNx,其厚度范围为0.3um-0.6um。
4.根据权利要求1所述的一种OLED器件支撑柱的结构,其特征在于:所述有源层(4)为IGZO,IGZTO或者IZO,所述有源层(4)溅射的厚度范围为0.03um-0.06um。
5.根据权利要求1所述的一种OLED器件支撑柱的结构,其特征在于:所述栅极绝缘层(6)的材料为SiO2或者SiNx,其厚度范围为0.3um-0.6um。
6.根据权利要求1所述的一种OLED器件支撑柱的结构,其特征在于:所述钝化层(9)的材料为SiO2或者SiNx,其厚度范围为0.3um-0.6um。
7.根据权利要求1所述的一种OLED器件支撑柱的结构,其特征在于:所述像素定义层(12)的材料为聚胺、聚酰胺、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚氨酯、聚硅烷中的任意一种,其厚度范围为2um-3um。
8.根据权利要求1所述的一种OLED器件支撑柱的结构,其特征在于:所述支撑柱本体(13)的材料为有机树脂,亚克力、环氧树脂、硅树脂中的任意一种,其厚度范围为2um-4um。
9.一种权利要求1-8任意一项所述的OLED器件支撑柱的结构的制作方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
S1、在玻璃基板(1)上通过PVD溅射上金属遮光层(2),并且在玻璃基板(1)的玻璃开孔处以及孔壁上溅射遮光层的膜层,再在缓冲层(3)上通过PVD溅射一层有源层(4),有源层(4)经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案;
S2、在步骤S1的基础之上通过PECVD沉积一层栅极绝缘层(6),然后再通过PVD溅射一层金属栅极(7),栅极绝缘层(6)和金属栅极(7)采用同一套光罩,经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案,再在金属栅极(7)通过PECVD沉积一层钝化层(9),钝化层(9)经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案;
S3、在步骤S2的基础之上在钝化层(9)的开孔图案上溅射一层金属层,金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极(5)和金属漏极(8),所述金属源极(5)和金属漏极(8)通过钝化层(9)的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层(4)进行欧姆搭接,并且金属源极(5)与下层的金属遮光层(2)搭接在一起;
再通过PECVD在金属源极(5)和金属漏极(8)上沉积一层平坦层(10),平坦层(10)经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案,然后在平坦层(10)的开孔图案上通过PVD溅射一层电极层(11),最后在电极层(11)上涂布一层像素定义层(12),像素定义层(12)经过过曝光显影蚀刻脱膜形成图案,像素定义层(12)经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案;
S4、在步骤S3的基础之上在像素定义层(12)上通过涂布机涂布有机薄膜,有机薄膜经过曝光显影蚀刻脱膜形成支撑柱本体(13),最后在像素定义层(12)的图案开孔处制备沉积OLED发光器件(15);
在制备支撑柱本体(13)时,在有机胶水中掺杂磁性颗粒(14),磁性颗粒(14)和胶水形成混合物,经过固化之后形成具有缓冲和磁性的支撑柱本体(13)。
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