[发明专利]一种OLED器件支撑柱的结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种OLED器件支撑柱的结构及其制作方法，包括玻璃基板，玻璃基板上沉积有金属遮光层，且金属遮光层上面沉积一层缓冲层，缓冲层上沉积溅射一层有源层；有源层上沉积一层栅极绝缘层，栅极绝缘层上溅射一层金属栅极，金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极和金属漏极，金属源极和金属漏极通过钝化层的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层进行欧姆搭接，并且金属源极与下层的金属遮光层搭接在一起。本发明可以增加玻璃基板与掩膜板的吸附力，减少了掩膜板和玻璃基板的缝隙，减少蒸镀薄膜的阴影区域的长度，避免混色异常的出现，并且避免了玻璃基板在掩膜板上滑落和掩膜板摩擦划伤的风险。

技术领域

本发明属于OLED器件技术领域，具体涉及一种OLED器件支撑柱的结构及其制作方法。

背景技术

在有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode）OLED显示器具备低功耗，宽视角，响应速度快，超轻期薄，抗震性好等特点，使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置；

OLED器件支撑柱（Point Supporting简称：PS），PS制备在OLED器件结构中的像素定义层上面，其作用是为了支撑蒸镀MASK（掩膜板），防止MASK（掩膜板）刮伤像素定义层以及下层的发光层和封装层；

在OLED器件制备过程中，颗粒磁性，水氧对器件的影响很大，然而在蒸镀和薄膜封装工艺中，PS极易与蒸镀的MASK（遮挡板）产生碰撞划伤，其摩擦产生的颗粒磁性容易对发光层膜层膜质和厚度产生影响，并且影薄膜封装工艺中薄膜无法覆盖大颗粒磁性，导致水氧的侵入器件，影响器件的寿命甚至导致器件失效，为此，我们提出一种OLED器件支撑柱的结构及其制作方法，以解决上述背景技术中提到的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED器件支撑柱的结构及其制作方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种OLED器件支撑柱的结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板上沉积有金属遮光层，所述金属遮光层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，且金属遮光层上面沉积一层缓冲层，所述缓冲层上沉积溅射一层有源层；

所述有源层上沉积一层栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上溅射一层金属栅极，所述栅极绝缘层和金属栅极采用同一套光罩，经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，所述金属栅极上沉积一层钝化层，所述钝化层经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案；

所述钝化层的开孔图案上溅射一层金属层，金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极和金属漏极，所述金属源极和金属漏极通过钝化层的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层进行欧姆搭接，并且金属源极与下层的金属遮光层搭接在一起；

所述金属源极和金属漏极上沉积一层平坦层，所述平坦层经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案，所述平坦层的开孔图案上溅射一层电极层，所述电极层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，所述电极层上涂布一层像素定义层，所述像素定义层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案；

所述像素定义层上涂布有支撑柱本体，所述支撑柱本体 中的胶水中掺杂磁性颗粒，所述像素定义层的图案开孔处制备沉积OLED发光器件，并形成隔离封装盖板隔离水氧。

所述金属遮光层的材料为金属Mo，其厚度范围为0.1um-0.2um。

所述缓冲层的材料为SiO₂或者SiN_x，其厚度范围为0.3um-0.6um。

所述有源层为IGZO，IGZTO或者IZO，所述有源层溅射的厚度范围为0.03um-0.06um。

所述栅极绝缘层的材料为SiO₂或者SiN_x，其厚度范围为0.3um-0.6um。

所述钝化层的材料为SiO₂或者SiN_x，其厚度范围为0.3um-0.6um。