[发明专利]一种基于多路供电输入防电压倒灌的方法及防倒灌电路在审

专利信息
申请号: 202111068802.2 申请日: 2021-09-13
公开(公告)号: CN113922337A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 杨柱;余海舟 申请(专利权)人: 尧云科技(西安)有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12;H02H11/00
代理公司: 西安亿诺专利代理有限公司 61220 代理人: 李永刚
地址: 710000 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 供电 输入 电压 倒灌 方法 电路
【权利要求书】:

1.一种基于多路供电输入防电压倒灌的方法,其特征在于包括:

设多路供电防输入的路数数量为n;其中n为大于1的正整数;

将多路供电输入中的每两个供电输入为一组电连接至第一级防倒灌电路,输出若干个第一级输出;

再将若干个第一级输出每两个为一组电连接至第二级防倒灌电路,输出若干个第二级输出;

重复上述步骤,直至经过第s级防倒灌电路的输出结果的数量为一个,即第s级输出。

2.根据权利要求1所述基于多路供电输入防电压倒灌的方法,其特征在于包括:若多路供电输入的路数数量n为奇数时,任选n-1路供电输入;

将n-1路供电输入中的每两个供电输入为一组电连接至第一级防倒灌电路,输出若干个第一级输出;

再将若干个第一级输出每两个为一组电连接至第二级防倒灌电路,输出若干个第二级输出;

重复上述步骤,直至经过第s级防倒灌电路的输出的结果的数量为一个,即第s级输出;

最后将前述n路供电输入中剩余的一路供电输入与第s级输出电连接至第s+1级防倒灌电路,输出一个第s+1级输出。

3.一种基于多路供电输入防电压倒灌的防倒灌电路,其特征在于:包括第PMOS管、电容和电阻;所述PMOS管包括第一PMOS管和第二PMOS管;所述电容包括第一电容和第二电容;所述电阻包括第一电阻和第二电阻;所述第一PMOS管的D端接入第一路供电输入;所述第一电阻和第一电容的一端均接地,另一端均与第一PMOS管的D端相电连接;所述第一PMOS管的G端接入第二路供电输入;所述第二PMOS管的D端接入第二路供电输入;所述第二电阻和第二电容的一端均接地,另一端均与第二PMOS管的D端相电连接;所述第二PMOS管的G端接入第一路供电输入;所述第一PMOS管的S端与第二PMOS管的S端相电连接后接出供电输出。

4.根据权利要求3所述基于多路供电输入防电压倒灌的防倒灌电路,其特征在于:所述电阻的电阻值为1K~10K。

5.根据权利要求4所述基于多路供电输入防电压倒灌的防倒灌电路,其特征在于:所述电容的电容值为1μF~10μF。

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