[发明专利]一种硅基电容集成结构及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基电容集成结构，其特征在于，包括：

衬底，

隔离层，所述隔离层形成在所述衬底上；

下电极层，所述下电极层设置在所述隔离层上；

台阶结构，所述台阶结构设置在所述下电极层上，所述台阶结构内包围有至少一层介电层，所述介电层覆盖在所述下电极层上；

上电极层，所述上电极层覆盖在所述介电层上；

其中，所述台阶结构分隔所述介电层与所述上电极层的打线区域。

2.根据权利要求1所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述下电极层的面积、所述上电极层的面积均大于所述介电层。

3.根据权利要求1所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述下电极层连接有与外界电元件连接的引线，

所述引线形成所述下电极层的打线区域。

4.根据权利要求3所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述台阶结构上与所述引线相对应的位置处开设有开口区。

5.根据权利要求1所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述上电极层的打线区域与所述下电极层分隔。

6.根据权利要求1所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述台阶结构和所述介电层的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化锆、或氧化铪。

7.根据权利要求6所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述介电层的材料为氮化硅；

所述台阶结构的材料为二氧化硅，高度为500埃米到2微米。

8.根据权利要求1所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述衬底的材料为硅、玻璃或者陶瓷，

所述隔离层为二氧化硅薄膜，厚度为0.2微米到1微米。

9.根据权利要求1所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述下电极层为铝、铜、金、银、多晶硅或单晶硅，厚度为0.1微米到1微米。

10.根据权利要求1所述的硅基电容集成结构，其特征在于：

所述上电极层为金、钛、铝、铜以及银中的一种或者多种。

11.一种硅基电容集成结构的制备方法，用于制备权利要求1～10中的任意一项的硅基电容集成结构，其特征在于，包括以下步骤：

选衬底；

在所述硅衬底上形成隔离层；

在所述隔离层上形成下电极层，并在所述下电极层上形成下电极和引线；

在所述下电极层上形成台阶结构，并在所述台阶结构包围内沉积介电层；

在所述下电极层上刻蚀出所述下电极的引线区域；

在所述介电层上沉积上电极层。

12.根据权利要求11所述的硅基电容集成结构的制备方法，其特征在于：

采用蒸发剥离工艺在所述下电极层上形成下电极和引线；

采用光刻和刻蚀的方法形成台阶结构；

用光刻和刻蚀的方法刻蚀出所述下电极的引线区域；

在所述介电层上用光刻和金属剥离的方法沉积上电极层。