[发明专利]点对点拉伸性导电丝的垂直固定封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202111068920.3 | 申请日: | 2021-09-13 |
公开(公告)号: | CN113871305A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 崔成强;赵迎宾;杨斌 | 申请(专利权)人: | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L25/18;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人: | 刘莉梅 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 点对点 拉伸 导电 垂直 固定 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种点对点拉伸性导电丝的垂直固定封装结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10、提供铜箔载板和第一感光干膜,将所述第一感光干膜贴附于所述铜箔载板的铜箔上;
S20、通过曝光、显影处理,在所述第一感光干膜上形成使所述铜箔载板外露的第一图形化孔,并在所述第一图形化孔内制作镀铜层;
S30、去除残留的所述第一感光干膜,并提供若干芯片,将所述芯片通过固晶胶间隔粘贴于所述镀铜层上;
S40、提供导电材料,将所述导电材料垂直植入到所述芯片预设的位置坐标处,并将所述导电材料拉丝至预定高度后截断形成导电丝;
S50、在所述芯片和所述镀铜层上覆盖介电材料,形成介电层,所述介电层的厚度不高于所述导电丝,且不低于所述芯片的上表面;
S60、对所述导电丝进行研磨处理,以使所述导电丝与所述介电层平齐;
S70、拆除铜箔载板,并对所述介电层进行开孔处理,形成使所述镀铜层外露的连接孔;
S80、在所述连接孔内制作连接柱,在所述介电层远离所述镀铜层的一面制作分别与所述导电丝和所述连接柱的一端电性连接的电连接结构。
2.根据权利要求1所述的点对点拉伸性导电丝的垂直固定封装结构的制备方法,其特征在于,步骤S40具体包括以下步骤:
S40a、通过高精度芯片定位平台在所述芯片上表面的I/O接口处按照平面阵列的排列方式,预设需要焊接的位置坐标;
S40b、通过垂直点焊拉丝设备将导电材料通过点对点的方式垂直植入到所述芯片预设的位置坐标处;
S40c、将所述导电材料拉伸至预定高度后截断,形成若干导电丝,并实现所述导电丝在所述芯片上的固化。
3.根据权利要求1所述的点对点拉伸性导电丝的垂直固定封装结构的制备方法,其特征在于,步骤S80具体包括以下步骤:
S80a、通过真空溅射处理,在所述介电层远离所述镀铜层的一面以及所述连接孔的孔壁制作种子层;
S80b、提供第二感光干膜,将所述第二感光干膜贴附于所述种子层上;
S80c、通过曝光、显影处理,在所述第二感光干膜上形成使所述种子层外露于所述第二感光干膜的第二图形化孔;
S80d、通过电镀处理,在所述连接孔内形成与所述镀铜层连接的连接柱,在所述第二图形化孔内形成分别与所述导电丝和所述连接柱电性连接的重布线层;
S80e、去除残留的所述第二感光干膜;
S80f、提供蚀刻液,采用所述蚀刻液对所述第二感光干膜被去除后外露的种子层进行蚀刻处理,以去除所述种子层;
S80g、在所述重布线层的表面涂覆感光油墨,形成油墨层;
其中,所述种子层、所述重布线层以及所述油墨层形成所述电连接结构。
4.根据权利要求1所述的点对点拉伸性导电丝的垂直固定封装结构的制备方法,其特征在于,所述铜箔载板的制作具体包括以下步骤:
提供载板、铜块以及铜箔,对所述铜块进行压合处理,在所述载板的上下两面形成铜层,并将所述铜箔贴附于其中一面所述铜层,以形成铜箔载板。
5.根据权利要求1所述的点对点拉伸性导电丝的垂直固定封装结构的制备方法,其特征在于,所述导电材料为Cu、Ag或Au。
6.一种点对点拉伸性导电丝的垂直固定封装结构,采用权利要求1~5任一项所述的方法制得,其特征在于,包括:
镀铜层;
通过固晶胶间隔粘贴于所述镀铜层上的若干芯片,所述芯片的上表面预设有若干个位置坐标;
导电丝,所述导电丝通过点焊拉伸的方式垂直固定于所述芯片预设的位置坐标上;
包覆所述镀铜层和所述芯片的介电层,所述导电丝与所述介电层的一面平齐,且所述介电层沿其厚度方向开设有供所述镀铜层外露的连接孔;
填充于所述连接孔内的连接柱,所述连接柱的一端与所述镀铜层电性连接;
电连接结构,位于所述介电层远离所述镀铜层的一面并分别与所述导电丝和所述连接柱远离所述镀铜层的一端电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造