[发明专利]半导体电路及其制造方法

权利要求书

1.一种修整跟随器电路的跟随器电压的电路，该电路包括：

拉低电路，连接在跟随器节点和第一参考电压之间，所述拉低电路响应第二参考电压，所述跟随器节点能连接到所述跟随器电路；以及

抗噪电路，连接在所述跟随器节点和所述第二参考电压之间，所述抗噪电路被配置为保护所述跟随器节点处的所述跟随器电压不因电容耦合到所述跟随器节点的噪声电压而失真。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，

所述第一参考电压是地电压；

所述第二参考电压是以第一状态和第二状态操作的第一电源电压；并且

所述拉低电路还被配置为：

响应于当所述第一电源电压处于所述第一状态时所述第一电源电压的电平超过所述拉低电路的阈值电平，将所述跟随器节点下拉向所述地电压；以及

响应于当所述第一电源电压处于所述第二状态时所述第一电源电压的电平下降到低于所述拉低电路的阈值电平，基本上不影响所述跟随器节点。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，

电容耦合到所述跟随器节点的噪声电压包括由所述跟随器电路的电源域中的第二电源电压产生的寄生电压；并且

所述抗噪电路还被配置为通过下列项的至少一项来保护所述跟随器节点：1)将所述跟随器节点处的所述寄生电压放电，或者2)抵消所述跟随器节点处的所述寄生电压。

4.根据权利要求2所述的电路，其中，所述抗噪电路包括：

电源节点，被配置为接收所述第一电源电压；以及

二极管连接场效应晶体管(FET)，连接在所述电源节点和所述跟随器节点之间，使得所述二极管连接FET被正向偏置，以便在所述第一电源电压的电平小于所述寄生电压的电平时通过所述电源节点将所述跟随器节点放电。

5.根据权利要求4所述的电路，其中，

所述二极管连接FET是P沟道FET(PFET)，该PFET具有第一漏极/源极端子、第二漏极/源极端子和栅极端子；

所述第一漏极/源极端子连接到所述电源节点；

所述栅极端子连接到所述第一漏极/源极；并且

所述第二漏极/源极端子连接到所述跟随器节点。

6.根据权利要求2所述的电路，其中，

所述抗噪电路包括：

连接到所述跟随器节点的电容器连接P沟道场效应晶体管(PFET)，以及

连接到所述跟随器节点的电容器连接N沟道场效应晶体管(NFET)；并且

所述电容器连接PFET和所述电容器连接NFET被配置为抵消所述跟随器节点处的噪声电压。

7.根据权利要求6所述的电路，其中，

所述抗噪电路还包括：

电源节点，被配置为接收所述第一电源电压；以及

地节点，被配置为接收所述地电压；

所述电容器连接PFET连接在所述跟随器节点和所述电源节点之间；并且

所述电容器连接NFET连接在所述跟随器节点和所述地节点之间。

8.根据权利要求2所述的电路，其中，所述拉低电路包括：

第一地节点，被配置为接收所述地电压；

第一N沟道场效应晶体管(NFET)，具有耦合到所述跟随器节点的第一漏极、耦合到所述地节点的第一源极、以及第一栅极，该第一栅极响应所述第一电源电压而使得所述第一NFET被配置为执行下列项：

响应于所述第一电源电压处于所述第二状态而关断，以使所述跟随器节点被设置为浮置；以及

响应于所述第一电源电压处于所述第一状态而导通，以使所述跟随器节点被设置为所述地电压。