[发明专利]一种晶圆基座表面喷砂加工工艺在审
申请号: | 202111074307.2 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN113829242A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 贺进;姚相民;叶定云;郭凯;周斌 | 申请(专利权)人: | 杭州之芯半导体有限公司 |
主分类号: | B24C3/02 | 分类号: | B24C3/02;B24C9/00 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 汪利胜 |
地址: | 310020 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基座 表面 喷砂 加工 工艺 | ||
1.一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,其特征是,包括以下步骤:a、根据晶圆基座的形状选择与之适配的胶膜打印图纸导入到胶膜切割机进行胶膜的切割;b、将切割好的胶膜粘贴到晶圆基座的加工面上;c、将贴有胶膜的晶圆基座安装到喷砂机上的固定治具上;d、启动喷砂机对晶圆基座加工面进行喷砂作业,晶圆基座加工面未粘贴到胶膜的部位进行喷砂处理,晶圆基座加工面粘贴到胶膜的部位对加工面进行保护;e、喷砂完成后,取下晶圆基座,撕下胶膜,晶圆基座上粘贴胶膜的部位没有喷砂加工到,而晶圆基座加工面未粘贴到胶膜的部位进行喷砂处理后表面去除一定厚度,从而使晶圆基座上粘贴胶膜的部位凸出形成凸台;f、用高度测量仪器对凸台的高度进行检测。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,其特征是,步骤a进行胶膜切割时,在胶膜上切割出易撕痕,保留需要切除的部分,形成整张完整样子的胶膜;步骤b中将整张胶膜粘贴到晶圆基座的加工面上,然后撕下胶膜需要切除的部分。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,其特征是,对返修的晶圆基座进行加工时,步骤b之前对晶圆基座加工面进行磨削。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,其特征是,喷砂压力设定在0.15-0.5Mpa。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,其特征是,固定治具安装在工作台上,工作台可转动设置。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,其特征是,喷砂机的喷砂方向始终处于晶圆基座加工面的法线方向;喷砂机对晶圆基座加工面的喷砂间距始终相等。
7.根据权利要求1至5任意一项所述的一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,其特征是,喷砂机上安装轮廓形状与晶圆基座上表面相匹配的导向板,喷砂机上导向板上方安装定位板,喷砂机上安装喷砂管,喷砂管连接推拉杆,导向板和定位板上均设有上下对应布置的喷砂滑道,喷砂管安装在上下两喷砂滑道之间,喷砂管上连接上定位块和下定位块,上定位块贴合在导向板上表面上,下定位块贴合在导向板下表面上,喷砂管上活动套装万向球,推拉杆上安装有连接座,万向球可转动安装在连接座上;步骤d时,推拉杆带动喷砂管在两喷砂滑道间滑动,喷砂管喷砂对晶圆基座加工面进行喷砂加工,喷砂管轴线始终置于晶圆基座加工面的法线方向上,喷砂管下端到晶圆基座加工面的间距始终相等。
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