[发明专利]一种晶圆基座表面喷砂加工工艺在审
申请号: | 202111074307.2 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN113829242A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 贺进;姚相民;叶定云;郭凯;周斌 | 申请(专利权)人: | 杭州之芯半导体有限公司 |
主分类号: | B24C3/02 | 分类号: | B24C3/02;B24C9/00 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 汪利胜 |
地址: | 310020 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基座 表面 喷砂 加工 工艺 | ||
本发明公开了一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,旨在解决晶圆基座凸台加工不便,成本高的不足。晶圆基座表面上的凸台加工时,用胶膜粘贴在凸台位置,喷砂时,喷出的细砂撞击到胶膜上,胶膜对凸台位置起到了保护作用,不会喷到凸台表面而去除厚度形成喷砂层。晶圆基座加工面喷砂完成后,撕下胶膜。晶圆基座加工面未粘贴到胶膜的部位进行喷砂处理后表面去除一定厚度,从而使晶圆基座上粘贴胶膜的部位凸出形成凸台。通过这种方式对晶圆基座表面的凸台进行加工,加工方便,不需要专用的设备进行加工,只需要用到现成的喷砂机即可,有利于降低加工成本。
技术领域
本发明涉及一种晶圆加工技术,更具体地说,它涉及一种晶圆基座表面喷砂加工工艺。
背景技术
近年来,随着国外对中国半导体产业的技术压制和封锁,加强相关设备和技术的国产化替代迫在眉睫。这其中,晶圆制造环节作为半导体产业的主要领域,显得尤为重要。晶圆制造设备里的核心部件之一的晶圆基座在使用过程中常易损坏却价格昂贵。我们对使用过程中出现故障的晶圆基座进行返修,既减小了成本也缩短了购买新部件所需要的周期,可以说是一举两得。在对晶圆基座进行返修过程中,常需要的工序是对晶圆基座表面磨损的凸台重新进行加工制备。由于凸台高度极低,直径极小,在加工的过程中十分不便,而且需要专用的设备进行加工,成本高。
发明内容
为了克服上述不足,本发明提供了一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,它方便了晶圆基座上凸台的加工,有利于降低加工成本。
为了解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,包括以下步骤:a、根据晶圆基座的形状选择与之适配的胶膜打印图纸导入到胶膜切割机进行胶膜的切割;b、将切割好的胶膜粘贴到晶圆基座的加工面上;c、将贴有胶膜的晶圆基座安装到喷砂机上的固定治具上;d、启动喷砂机对晶圆基座加工面进行喷砂作业,晶圆基座加工面未粘贴到胶膜的部位进行喷砂处理,晶圆基座加工面粘贴到胶膜的部位对加工面进行保护;e、喷砂完成后,取下晶圆基座,撕下胶膜,晶圆基座上粘贴胶膜的部位没有喷砂加工到,而晶圆基座加工面未粘贴到胶膜的部位进行喷砂处理后表面去除一定厚度,从而使晶圆基座上粘贴胶膜的部位凸出形成凸台;f、用高度测量仪器对凸台的高度进行检测。
晶圆基座表面上的凸台加工时,用胶膜粘贴在凸台位置,喷砂时,喷出的细砂撞击到胶膜上,胶膜对凸台位置起到了保护作用,不会喷到凸台表面而去除厚度形成喷砂层。晶圆基座加工面喷砂完成后,撕下胶膜。晶圆基座加工面未粘贴到胶膜的部位进行喷砂处理后表面去除一定厚度,从而使晶圆基座上粘贴胶膜的部位凸出形成凸台。通过这种方式对晶圆基座表面的凸台进行加工,加工方便,不需要专用的设备进行加工,只需要用到现成的喷砂机即可,有利于降低加工成本。
作为优选,步骤a进行胶膜切割时,在胶膜上切割出易撕痕,保留需要切除的部分,形成整张完整样子的胶膜;步骤b中将整张胶膜粘贴到晶圆基座的加工面上,然后撕下胶膜需要切除的部分。
通过这种设置使粘贴到晶圆基座加工面上的胶膜是整张的,便于粘贴,粘贴完成后撕下需要切除的部分,留下需要加工凸台位置的胶膜即可。
作为优选,对返修的晶圆基座进行加工时,步骤b之前对晶圆基座加工面进行磨削。返修的晶圆基座加工面进行磨削后有利于保证喷砂加工质量。
作为优选,喷砂压力设定在0.15-0.5Mpa。
作为优选,固定治具安装在工作台上,工作台可转动设置。工作台可转动设置,使晶圆基座喷砂操作更加灵活多变。
作为优选,喷砂机的喷砂方向始终处于晶圆基座加工面的法线方向;喷砂机对晶圆基座加工面的喷砂间距始终相等。这样设置使晶圆基座各个位置的喷砂操作更加均匀,有利于提高喷砂效果。
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