[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202111074571.6 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN114188375A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 白炅旼;李周炫;姜泰旭;申铉亿 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘林果;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
非显示区域,不显示图像;以及
显示区域,显示图像,并且包括第一区域和第二区域以及第一像素和第二像素,所述第一区域和所述第二区域具有不同的透射率,
其中,所述第一像素的晶体管和阳极电极位于所述第一区域中,
其中,所述第二像素的阳极电极位于所述第二区域中,并且所述第二像素的晶体管位于所述第二区域外部,
其中,所述第二像素的所述阳极电极和所述晶体管通过连接线电连接,并且
其中,所述连接线的至少一部分位于所述第一区域和所述第二区域中的至少一个中,并且被抗反射层覆盖。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二区域包括用于透射光的透射区域,并且具有比所述第一区域的透射率大的透射率。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二像素的所述晶体管位于所述非显示区域和所述第一区域中的至少一个中。
4.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述第二像素的所述阳极电极与所述连接线之间的第一绝缘层,
其中,所述第一绝缘层的至少一部分位于所述第二像素的所述阳极电极与所述连接线彼此面对的区域中,并且
其中,所述第二像素的所述阳极电极和所述连接线经由穿透所述第一绝缘层和所述抗反射层的通孔电连接。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述通孔形成在所述第二区域中。
6.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括第一导电层,所述第一导电层包括所述第二像素的所述晶体管的源电极和漏电极,
其中,所述第一导电层的堆叠结构与所述连接线的堆叠结构相同。
7.根据权利要求6所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述第一导电层与所述连接线之间的第二绝缘层。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一导电层和所述连接线均具有钛/铝/钛的堆叠结构。
9.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述连接线与所述第二像素的所述晶体管的所述源电极和所述漏电极位于相同的层上,所述连接线以及所述第二像素的所述晶体管的所述源电极和所述漏电极形成所述第一导电层。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述连接线包括不透明金属。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,在平面图中,所述抗反射层与所述连接线以相同的图案形成。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述抗反射层包括钼、钼合金、氧化钼或者钼合金的氧化物。
13.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述抗反射层具有比所述连接线的电阻大的电阻。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述连接线的宽度在1.2μm与1.5μm之间。
15.一种显示装置,所述显示装置包括不显示图像的非显示区域以及显示图像且包括透射区域的显示区域,所述显示装置包括:
像素,包括:晶体管,位于所述非显示区域中;以及阳极电极,位于所述显示区域中,
其中,所述晶体管和所述阳极电极通过连接线电连接,所述连接线与包括所述晶体管的源电极和漏电极的第一导电层具有相同的堆叠结构,并且
其中,所述连接线的至少一部分位于所述显示区域中并且被抗反射层覆盖。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的