[发明专利]一种类金字塔形CsPbBr3

权利要求书

1.一种类金字塔形CsPbBr₃ /苯并噻吩复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的基体由类金字塔形的CsPbBr₃二次颗粒组成，所述类金字塔形的CsPbBr₃二次颗粒由CsPbBr₃一次颗粒堆叠而成，所述复合薄膜还包括苯并噻吩，所述苯并噻吩填充在堆叠的CsPbBr₃二次颗粒的孔隙及交界处，所述CsPbBr₃与苯并噻吩呈II型能带排列。

2.如权利要求1所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜，其特征在于，所述CsPbBr₃表面经钝化转变为不活泼态。

3.一种如权利要求1-2任一项所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）化学气相沉积法制备由类金字塔形的CsPbBr₃二次颗粒组成的CsPbBr₃基体薄膜；

（2）将苯并噻吩溶解在有机溶剂中，得到苯并噻吩有机溶液；

（3）在CsPbBr₃基体薄膜上旋涂苯并噻吩有机溶液，苯并噻吩通过旋涂填充在CsPbBr₃二次颗粒的孔洞及交界处，得到类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜。

4.如权利要求3所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述化学气相沉积法制备由类金字塔形的CsPbBr₃二次颗粒组成的CsPbBr₃基体薄膜包括为：将质量比为1:1-2:1的CsBr和PbBr₂置于管式炉的加热区域，真空惰性气氛下，加热到580℃-650℃，保持50-70分钟，150-230℃下冷却沉积，得到CsPbBr₃基体薄膜。

5.如权利要求4所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述冷却沉积温度为150-160℃，所述真空惰性气氛真空度为10-50Pa，惰性气氛由氮气和/或氩气提供。

6.如权利要求3所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中掺有添加剂，所述添加剂为聚苯乙烯，所述苯并噻吩浓度为5-10 mg/ml，苯并噻吩有机溶液中苯并噻吩与聚苯乙烯的重量比为4:1-8:1。

7.如权利要求3所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述旋涂为偏涂，将CsPbBr₃基体薄膜放在距离旋涂中心2.5-3.5cm处，旋涂速度为2500-3000rpm。

8.一种如权利要求1-2任一项所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的应用，其特征在于，所述类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜在制备光电导器件材料或制备光电探测器中的应用。

9.如权利要求8所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的应用，其特征在于，所述光电导器件的制备方法为：通过掩模板热蒸发在类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜上蒸镀覆盖厚度为50-100nm的金属电极。

10.如权利要求9所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的应用，其特征在于，所述金属电极有至少两块，两电极之间有效器件面积为50×1000 µm² -100×1000 µm²。

11.如权利要求9或10所述的类金字塔形CsPbBr₃/苯并噻吩复合薄膜的应用，其特征在于，所述金属电极为金电极。