[发明专利]一种类金字塔形CsPbBr3 有效
申请号: | 202111076601.7 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN114107944B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 代国章;李行;刘标;阳军亮 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C09D125/06;C09D7/63;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人: | 杨斌 |
地址: | 410000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 种类 金字塔 cspbbr base sub | ||
本发明提供了一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用,复合薄膜的基体由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成,类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒由CsPbBr3一次颗粒堆叠而成,复合薄膜还包括苯并噻吩;制备方法包括如下步骤:(1)气相法制备由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成的CsPbBr3基体薄膜;(2)将苯并噻吩溶解在有机溶剂中;(3)在CsPbBr3基体薄膜上旋涂苯并噻吩有机溶液,得到类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜。本发明采用化学气相沉积法制备CsPbBr3,避免了溶液法的溶剂对CsPbBr3结晶的负面影响,通过优化生长、控制沉积温度对于CsPbBr3微结构调控和与有机半导体C8BTBT构建异质结来提升CsPbBr3光电子器件性能和稳定性。
技术领域
本发明属于光电探测技术领域,尤其涉及一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
过去十几年中,钙钛矿材料因具有优异的光电性能,在光伏器件中极具应用潜力,而引起了科研人员广泛的关注。钙钛矿材料主要有有机-无机杂化钙钛矿和全无机钙钛矿,有机-无机杂化钙钛矿中的有机阳离子团簇结构较为脆弱,对环境(湿度、温度、氧气等)稳定性差的问题一直制约着其在光电器件领域的进一步发展。
全无机钙钛矿CsPbBr3是一种新型的卤化物钙钛矿半导体,与有机-无机杂化体系相比, CsPbBr3具有更优的稳定性,在实际应用方面更具潜力。然而,大部分钙钛矿都是通过溶液法制备的,溶剂对钙钛矿的结晶存在负面影响,且钙钛矿薄膜材料的结晶稳定性也还需要进一步的提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是溶液法制备钙钛矿会对结晶造成负面影响以及钙钛矿薄膜材料的结晶稳定性差,克服以上背景技术中提到的不足和缺陷,提供一种类金字塔形CsPbBr3/ 苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用。
为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为:
一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜,其特征在于,所述复合薄膜的基体由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成,所述类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒由CsPbBr3一次颗粒堆叠而成,所述复合薄膜还包括苯并噻吩,所述苯并噻吩主要填充在堆叠的CsPbBr3二次颗粒的孔隙及交界处。
类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒结晶稳定,晶胞形态好,能够增加光的吸收率,薄膜粗糙度小,表面平整,稳定性高。表面平整的类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成的CsPbBr3基体薄膜更有利于苯并噻吩的复合,复合的苯并噻吩不仅可以填充孔洞,而且可以有效填充晶粒的交界缝隙并钝化CsPbBr3膜的缺陷。
苯并噻吩分子式为C8-BTBT,结构式如图12。
优选的,所述CsPbBr3与苯并噻吩呈II型能带排列。
CsPbBr3与苯并噻吩呈II型能带排列,接近的HOMO能级有助于空穴传输并改善光电探测器的性能。
优选的,所述CsPbBr3表面经钝化转变为不活泼态。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的