[发明专利]一种低介电常数TLCP材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111077172.5 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113667281A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张东宝;于冉;徐良 | 申请（专利权）人： | 宁夏清研高分子新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L67/00 | 分类号： | C08L67/00;C08K7/28;C08K7/26 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 甄伟军 |
| 地址： | 753000 宁夏回族自治区石嘴*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 tlcp 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将偏1,3-乙酰氧基苯甲酸丙烷与4,4’-二乙酰氧基联苯撑及对苯二甲酸共聚得到液晶聚酯；
将所述液晶聚酯、中空玻璃微珠以及海泡石进行干燥，其后，将所述液晶聚酯、所述中空玻璃微珠以及所述海泡石采用双螺杆挤出机进行共混挤出，得到低介电常数TLCP材料。
2.根据权利要求1所述的低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，所述将所述液晶聚酯、中空玻璃微珠以及海泡石进行干燥，其后，将所述液晶聚酯、所述中空玻璃微珠以及所述海泡石采用双螺杆挤出机进行共混挤出，得到低介电常数TLCP材料的步骤中，双螺杆挤出机的各段温度：I段温度为300-310℃，Ⅱ段温度为310-320℃，Ⅲ段温度为320-330℃，Ⅳ段温度为310-320℃，喷嘴温度为300-310℃。
3.根据权利要求1所述的低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，所述将偏1,3-乙酰氧基苯甲酸丙烷与4,4’-二乙酰氧基联苯撑及对苯二甲酸共聚得到液晶聚酯的步骤包括：
在氮气环境下，将偏1,3-乙酰氧基苯甲酸丙烷、4,4’-二乙酰氧基联苯撑、对苯二甲酸及催化剂置于熔融聚合装置中进行反应，其后，将副产物乙酸酐排出，即得到液晶聚酯。
4.根据权利要求3所述的低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂为醋酸锌。
5.根据权利要求3所述的低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，所述偏1,3-乙酰氧基苯甲酸丙烷的摩尔百分比含量为50-60％，所述4,4’-二乙酰氧基联苯撑的摩尔百分比含量为25-30％，所述对苯二甲酸的摩尔百分比含量为15-20％。
6.根据权利要求1所述的低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，所述中空玻璃微珠的质量份数为10-20％。
7.根据权利要求1所述的低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，所述海泡石的质量份数为5-10％。
8.根据权利要求6所述的低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，所述中空玻璃微珠的粒径为30-40um。
9.根据权利要求1所述的低介电常数TLCP材料的制备方法，其特征在于，所述低介电常数TLCP材料中还添加有助剂，所述助剂为增容剂。
10.一种低介电常数TLCP材料，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的方法制备而成。
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