[发明专利]阵列基板、显示面板以及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板和薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设于所述衬底基板上；所述薄膜晶体管层包括有源层；其特征在于：还包括遮挡层，所述遮挡层设于所述衬底基板和所述薄膜晶体管层之间，所述遮挡层设有凹槽，所述有源层至少部分伸入至所述凹槽内；

所述薄膜晶体管层包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括氧化铟镓锌层，所述驱动薄膜晶体管还包括：

栅极绝缘层设置于氧化铟镓锌层上；

栅极设置于栅极绝缘层上；

层间介质层，所述层间介质层包括第一过孔和第二过孔以及第三过孔；

源极和漏极，设置于所述层间介质层上，所述漏极通过所述第一过孔与所述氧化铟镓锌层相连接；所述遮挡层包括第一遮挡层，所述第一遮挡层对应所述驱动薄膜晶体管设置；所述源极通过所述第二过孔与所述氧化铟镓锌层相连接，并通过所述第三过孔与所述第一遮挡层相连接；

还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设于所述衬底基板和所述遮挡层之间，所述第一缓冲层设有第一缓冲槽，所述遮挡层的厚度小于所述第一缓冲槽的深度，且所述遮挡层至少铺满所述第一缓冲槽的底壁和侧壁以形成所述凹槽；

还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层设于所述遮挡层和所述薄膜晶体管层之间；所述第二缓冲层对应所述凹槽形成第二缓冲槽；

所述有源层铺满所述第二缓冲槽的底壁和侧壁以形成有源层凹槽；

所述遮挡层采用钛金属材料或氮化钛材料制成，所述第二缓冲层采用氧化硅材料或氧化铝材料制成；

所述凹槽包括第一凹槽，所述第一凹槽由所述第一遮挡层形成，所述第一凹槽包括凹槽底壁和两个凹槽侧壁，两个所述凹槽侧壁设于所述凹槽底壁的两侧，且所述凹槽底壁的两端分别和两个所述凹槽侧壁的下端连接；所述第一有源层位于所述驱动薄膜晶体管内，所述第一有源层至少部分伸入所述第一凹槽内；

所述薄膜晶体管层还包括开关薄膜晶体管，所述遮挡层还包括第二遮挡层，所述第二遮挡层对应所述开关薄膜晶体管设置；所述凹槽包括第二凹槽，所述第二凹槽由所述第二遮挡层形成，所述第二凹槽包括两个第二凹槽侧壁，两个所述第二凹槽侧壁间隔设置，且两个所述第二凹槽侧壁之间镂空形成镂空部；所述有源层包括第二有源层，所述第二有源层位于所述开关薄膜晶体管内，所述第二有源层至少部分伸入所述第二凹槽内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括源极，所述遮挡层还包括凹槽延伸部，所述凹槽延伸部与所述凹槽的侧壁连接；

所述阵列基板还包括设于所述第二缓冲层上方的电容电极层，所述凹槽延伸部、所述电容电极层和所述源极均至少部分重叠，以形成存储电容。

3.一种显示面板，包括阵列基板和印刷电路板，所述印刷电路板绑定连接于所述阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1-2任意一种所述的阵列基板。

4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-2任意一种所述的阵列基板，所述制备方法包括步骤：

设置一衬底基板，在所述衬底基板上沉积并蚀刻形成所述遮挡层，所述遮挡层形成所述凹槽；以及

在所述遮挡层上制作所述薄膜晶体管层，形成的所述薄膜晶体管层的有源层至少部分伸入所述凹槽内。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述设置一衬底基板，在所述衬底基板上沉积并蚀刻形成所述遮挡层，所述遮挡层形成所述凹槽的步骤包括：

在所述衬底基板上沉积第一缓冲层，在所述第一缓冲层上蚀刻出第一缓冲槽；以及

在所述第一缓冲层上沉积所述遮挡层，所述遮挡层铺满所述第一缓冲槽的底壁和侧壁以形成所述凹槽；

所述在所述遮挡层上制作所述薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层的有源层至少部分伸入所述凹槽内的步骤包括：

在所述遮挡层上沉积第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述遮挡层，并对应所述凹槽内形成第二缓冲槽；以及

在所述第二缓冲层上，且对应所述遮挡层的上方制作所述薄膜晶体管层，形成的所述薄膜晶体管层的所述有源层铺满所述第二缓冲槽的底壁和侧壁以形成有源层凹槽，且形成的所述有源层、所述第二缓冲层和所述遮挡层的总厚度小于所述第一缓冲槽的深度。