[发明专利]阵列基板、显示面板以及阵列基板的制备方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括：包括衬底基板和薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设于所述衬底基板上；所述薄膜晶体管层包括有源层；还包括遮挡层，所述遮挡层设于所述衬底基板和所述薄膜晶体管层之间，所述遮挡层设有凹槽，所述有源层至少部分伸入至所述凹槽内。本申请通过以上方式，改善有源层受到光照而造成的漏电流问题，提高薄膜晶体管的工作稳定性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制备方法。

背景技术

目前，液晶显示面板(Liquid Crystal Display ，LCD)和有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode ，OLED)中均具有阵列基板，阵列基板上设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。

在薄膜晶体管中，有源层是非常重要的膜层，在很大程度上决定了薄膜晶体管的性能，而很多的有源层，都存在受到光照时产生漏电流的问题，将导致薄膜晶体管的性能不稳定；现有技术中为了解决这个技术问题，在有源层的下方设置了遮挡层，但是遮挡层的效果有限，薄膜晶体管的性能依然不稳定。

发明内容

本申请的目的是提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制备方法，旨在解决现有阵列基板的薄膜晶体管的有源层受到光照导致性能不稳定的问题。

本申请公开了一种阵列基板，包括衬底基板和薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设于所述衬底基板上；所述薄膜晶体管层包括有源层；所述阵列基板还包括遮挡层，所述遮挡层设于所述衬底基板和所述薄膜晶体管层之间，所述遮挡层设有凹槽，所述有源层至少部分伸入至所述凹槽内。

可选的，所述薄膜晶体管层包括驱动薄膜晶体管，所述遮挡层包括第一遮挡层，所示第一遮挡层对应所述驱动薄膜晶体管设置；所述凹槽包括第一凹槽，所述第一凹槽由所述第一遮挡层形成，所述第一凹槽包括凹槽底壁和两个凹槽侧壁，两个所述凹槽侧壁设于所述凹槽底壁的两侧，且所述凹槽底壁的两端分别和两个所述凹槽侧壁的下端连接；

所述有源层包括第一有源层，所述第一有源层位于所述驱动薄膜晶体管内，所述第一有源层至少部分伸入所述第一凹槽内。

可选的，所述薄膜晶体管层包括开关薄膜晶体管，所述遮挡层包括第二遮挡层，所述第二遮挡层对应所述开关薄膜晶体管设置；所述凹槽包括第二凹槽，所述第二凹槽由所述第二遮挡层形成，所述第二凹槽包括两个第二凹槽侧壁，两个所述第二凹槽侧壁间隔设置，且两个所述第二凹槽侧壁之间镂空形成镂空部；

所述有源层包括第二有源层，所述第二有源层位于所述驱动薄膜晶体管内，所述第二有源层至少部分伸入所述第二凹槽内。

可选的，还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设于所述衬底基板和所述遮挡层之间，所述第一缓冲层设有第一缓冲槽，所述遮挡层的厚度小于所述第一缓冲槽的深度，且所述遮挡层至少铺满所述第一缓冲槽的底壁和侧壁以形成所述凹槽。

可选的，还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层设于所述遮挡层和所述薄膜晶体管层之间；所述第二缓冲层对应所述凹槽形成第二缓冲槽；

所述有源层铺满所述第二缓冲槽的底壁和侧壁以形成有源层凹槽。

可选的，所述有源层包括氧化铟锌层，所述遮挡层采用钛金属材料或氮化钛材料制成，所述第二缓冲层采用SiOx材料或AlO材料制成。

可选的，所述薄膜晶体管层包括源极，所述遮挡层还包括凹槽延伸部，所述凹槽延伸部与所述凹槽的侧壁连接；

所述阵列基板还包括设于所述第二缓冲层上方的电容电极层，所述凹槽延伸部、所述电容电极层和所述源极均至少部分重叠，以形成存储电容。