[发明专利]一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法

权利要求书

1.一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）零件遮蔽：将铝制真空腔体零件不含金的部分涂敷遮蔽胶，静置，直到遮蔽胶固化；

（2）脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中，静置脱金，直至铝零件上的黄金全部溶解脱落；

（3）清洗：将步骤（2）脱金后的铝零件用去离子水冲洗，并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；

（4）脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；

（5）抽滤：将步骤（2）脱金后的脱金液进行过滤，得到含金的脱金液，向脱金液中加入还原剂提取金，底渣王水溶解，再进行赶硝还原，加入还原剂提取金；

步骤（2）中所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾3-8g/L、碘化钾3-12g/L、十二烷基肌氨酸钠0.5-3g/L和脱金促进剂8-15g/L；

所述脱金促进剂为氧化铅粉末。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤（1）中所述遮蔽胶为丙烯酸酯单体经过乳液法聚合而成的乳液压敏胶。

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤（1）中所述零件遮蔽在抽风环境下涂敷遮蔽胶。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾5-6g/L、碘化钾5-10g/L、十二烷基肌氨酸钠1-2g/L和脱金促进剂10-12g/L。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤（1）中所述脱胶处理为：在抽风环境下，将稀释剂均匀涂抹在遮蔽胶表面，待遮蔽胶被溶解，露出铝底层，使用去离子水冲洗，即可。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述稀释剂为多元醇溶剂。

7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇8-25%、酒精18-25%、天拿水6-25%和水余量。

8.一种真空腔体零件，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的清洗方法制备而成。