[发明专利]一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法

说明书

本发明公开了一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，包括(1)零件遮蔽：将铝制零件不含金的部分涂敷遮蔽胶，静置固化；(2)脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中，静置脱金；(3)清洗：将脱金后的铝零件用去离子水冲洗，并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；(4)脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；(5)抽滤：将脱金后的脱金液进行过滤，得到含金的脱金液，向脱金液中加入还原剂提取金，底渣王水溶解，再进行赶硝还原，加入还原剂提取金。本发明通过对脱金液配方的改进，利用脱金促进剂和十二烷基肌氨酸钠的共同作用，提高了氢氧化钾与碘化钾的活性，相比现有技术，本发明具有脱金速率快，且不腐蚀铝基材等优点。

技术领域

本发明属于零件清洗技术领域，涉及一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法。

背景技术

芯片镀膜制程涉及一种物理气相薄膜沉积的工艺过程，其目的是使芯片表面上附着一层金属薄膜，从而使芯片实现导电功能。工艺过程使用到的一种设备叫物理气相薄膜沉积设备，也叫PVD镀膜设备。在制程中，PVD镀膜设备的真空腔体会附着越来越多的金属，金属沉积多了后会导致剥落、掉渣等现场，从而影响镀膜制程的稳定。所以每过一段时间后，真空腔体的零件需要把金属沉积清洗干净才能继续生产。

目前，芯片镀膜制程中真空腔体零件有以铝为基材的零件，铝零件表面沉积了金属黄金，由于铝的化学性质活泼，采用现有的清洗工艺对真空腔体零件进行清洗，容易造成铝基体过腐蚀，且脱金速度慢，因此，亟需研发一种脱金速度快、不腐蚀铝基材，不损伤铝零件的清洗方法。

发明内容

为了解决上述技术，本发明提供了一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，包括以下步骤：

(1)零件遮蔽：将铝制真空腔体零件不含金的部分涂敷遮蔽胶，静置，直到遮蔽胶固化；

(2)脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中，静置脱金，直至铝零件上的黄金全部溶解脱落；

(3)清洗：将步骤(2)脱金后的铝零件用去离子水冲洗，并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；

(4)脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；

(5)抽滤：将步骤(2)脱金后的脱金液进行过滤，得到含金的脱金液，向脱金液中加入还原剂提取金，底渣王水溶解，再进行赶硝还原，加入还原剂提取金。

优选地，步骤(1)中所述遮蔽胶为丙烯酸酯单体经过乳液法聚合而成的乳液压敏胶。

优选地，步骤(1)中所述零件遮蔽在抽风环境下涂敷遮蔽胶。

优选地，步骤(2)中所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾、碘化钾、十二烷基肌氨酸钠和脱金促进剂。

进一步优选地，所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾3-8g/L、碘化钾3-12g/L、十二烷基肌氨酸钠0.5-3g/L和脱金促进剂8-15g/L。更进一步地，所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾5-6g/L、碘化钾5-10g/L、十二烷基肌氨酸钠1-2g/L和脱金促进剂10-12g/L。

优选地，步骤(1)中所述脱胶处理为：在抽风环境下，将稀释剂均匀涂抹在遮蔽胶表面，待遮蔽胶被溶解，露出铝底层，使用去离子水冲洗，即可。

进一步优选地，所述稀释剂为多元醇溶剂。

进一步优选地，所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇8-25％、酒精18-25％、天拿水6-25％和水余量；更进一步优选地，所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇10-20％、酒精20-22％、天拿水10-20％和水余量。