[发明专利]透明导电氧化物薄膜及异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种透明导电氧化物薄膜，其特征在于，其包括种子层、导电层和保护层，所述种子层包括氧化铟锡膜或镓/铝共掺杂氧化锌膜，所述导电层为镓/铝共掺杂氧化锌膜，所述保护层为氧化铟锡膜；

所述透明导电氧化物薄膜中的所述氧化铟锡膜的厚度小于所述镓/铝共掺杂氧化锌膜的厚度。

2.一种异质结太阳能电池，其特征在于，其包括：

硅片；

在所述硅片的两个表面的本征非晶硅薄膜；

在其中一个所述本征非晶硅薄膜表面的P型掺杂非晶硅薄膜，以及在另一个所述本征非晶硅薄膜表面的N型掺杂非晶硅薄膜；

权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜，所述透明导电氧化物薄膜设于所述P型掺杂非晶硅薄膜和N型掺杂非晶硅薄膜的表面；所述种子层靠近所述P型掺杂非晶硅薄膜和N型掺杂非晶硅薄膜设置；以及

电极，所述电极设于所述透明导电氧化物薄膜的表面。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型掺杂非晶硅薄膜表面的所述透明导电氧化物薄膜中，所述种子层的载流子浓度6×10²⁰，厚度10nm。

4.根据权利要求2或3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型掺杂非晶硅薄膜表面的所述透明导电氧化物薄膜中，所述导电层的载流子浓度2×10²⁰，厚度40nm。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型掺杂非晶硅薄膜表面的所述透明导电氧化物薄膜的厚度为60～150nm。

6.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂非晶硅薄膜表面的所述透明导电氧化物薄膜中，所述种子层的载流子浓度1×10²⁰，厚度10nm。

7.根据权利要求2或6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂非晶硅薄膜表面的所述透明导电氧化物薄膜中，所述导电层的载流子浓度3×10²⁰，厚度40nm。

8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂非晶硅薄膜表面的所述透明导电氧化物薄膜为60～250nm。

9.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂非晶硅薄膜和所述N型掺杂非晶硅薄膜中均具有微晶硅。

10.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂非晶硅薄膜的晶化率20％；和/或，所述N型掺杂非晶硅薄膜的晶化率25％。