[发明专利]一种取向硅钢边浪的控制方法、装置、设备和存储介质有效

专利信息
申请号: 202111082830.X 申请日: 2021-09-15
公开(公告)号: CN113862447B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 李瑞凤;王现辉;王旭;马松新;赵松山;胡志远;田建辉;马健 申请(专利权)人: 首钢智新迁安电磁材料有限公司
主分类号: C21D8/12 分类号: C21D8/12;C21D11/00;C21D1/26;C21D3/04
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 修雪静
地址: 064400 河北省唐*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 取向 硅钢 控制 方法 装置 设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种取向硅钢边浪的控制方法,其特征在于,包括:

在将通过脱碳退火阶段的取向硅钢的带钢进行卷取过程中,在所述带钢的下端侧上刻上刻痕线,其中,所述下端侧为所述带钢与高温退火炉的承托底板接触的一侧,所述刻痕线平行于所述带钢轧制的方向;

控制卷取后的所述带钢通过高温退火阶段和热拉伸平整阶段后至精整阶段时,沿着所述刻痕线,切除所述带刚的边浪;其中,所述边浪为在所述带钢的所述刻痕线至所述下端侧的边的部分。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述带钢的下端侧上刻上刻痕线,包括:

在所述带钢的刻痕长度内的所述下端侧上刻上刻痕线,其中,所述刻痕线设置在所述带钢的尾部,且所述刻痕长度不小于所述带钢的长度的十分之一。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述带钢的刻痕长度内的所述下端侧上刻上刻痕线,包括:

在所述下端侧的边部范围内刻上所述刻痕线,其中,所述刻痕线的数量不小于2条。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述边部范围为距离所述下端侧的边10mm至50mm的范围,所述刻痕线的凹槽宽度范围为10μm至60μm,所述刻痕线的凹槽深度范围为5μm至100μm。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述带钢的刻痕长度内的所述下端侧上刻上刻痕线时,所述方法还包括:

在所述刻痕线的数量不小于2条时,若一条所述刻痕线中有多段刻痕子线段,则在刻痕条件下,刻所述刻痕子线段,其中,所述刻痕条件为所述刻痕子线段之间的距离不大于所述刻痕子线段的长度的一半,所述刻痕子线段的长度至少为10mm。

6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述沿着所述刻痕线,切除所述带刚的边浪,包括:

在所述刻痕线的数量不小于2条时,则沿目标刻痕线,切除所述带钢的边浪,其中,所述目标刻痕线为距离所述下端侧的边最远的刻痕线。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述带钢的下端侧上刻上刻痕线,包括:

通过刻痕模块,在所述下端侧刻上所述刻痕线,所述刻痕模块包括机械刻痕模块、腐蚀刻痕模块或激光刻痕模块。

8.一种取向硅钢边浪的控制装置,其特征在于,包括:

划刻模块,用于在将通过脱碳退火阶段的取向硅钢的带钢进行卷取过程中,在所述带钢的下端侧上刻上刻痕线,其中,所述下端侧为所述带钢与高温退火炉的承托底板接触的一侧,所述刻痕线平行于所述带钢轧制的方向;

切除模块,用于控制卷取后的所述带钢通过高温退火阶段和热拉伸平整阶段后至精整阶段时,沿着所述刻痕线,切除所述带刚的边浪;其中,所述边浪为在所述带钢的所述刻痕线至所述下端侧的边的部分。

9.一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-7中任一权利要求所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一权利要求所述的方法。

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