[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底，设置于所述衬底中的电感；以及

设置于所述衬底的一个表面上的有源器件和/或无源器件。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

焊垫，所述焊垫设置在所述电感周围；

绝缘层，所述绝缘层至少设置于所述衬底的所述一个表面上；

金属布线层，所述金属布线层设置于所述衬底与所述有源器件和/或无源器件之间，所述金属布线层至少实现所述电感、所述焊垫与所述有源器件和/或无源器件之间的导通。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括塑封层，所述塑封层覆盖所述衬底、所述有源器件和/或无源器件。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底中具有环状的螺旋线通道，所述螺旋线通道中设置有导电材料层，所述导电材料层的首段和尾端相临但不接触，并引出有连接极。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括键合在一起的第一基板和第二基板，所述螺旋线通道和所述导电材料层皆分布在所述第一基板和所述第二基板中。

6.一种半导体结构的制备方法，包括：

在衬底中加工出电感；

在所述衬底上形成有源器件和/或无源器件。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在衬底中加工出电感之前或者之后，还包括：在所述衬底中所述电感周围设置焊垫。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成有源器件和/或无源器件之前，还包括：

在所述衬底的至少一个表面上形成绝缘层；

在绝缘层上开窗，至少暴露出所述焊垫和所述电感的连接极；以及

在所述绝缘层上形成金属布线层，所述金属布线层至少连接至所述焊垫和所述电感的连接极。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成有源器件和/或无源器件之后，还包括：

形成塑封层，所述塑封层覆盖所述衬底和所述有源器件和/或无源器件；以及

划片切割。